| 摘要 | 第2-3页 |
| Abstract | 第3页 |
| 引言 | 第6-7页 |
| 第一章 综述 | 第7-17页 |
| 1.1 低维纳米材料简介 | 第7-8页 |
| 1.2 半导体纳米材料简介 | 第8页 |
| 1.3 半导体纳米材料的特性 | 第8-10页 |
| 1.3.1 表面效应 | 第9页 |
| 1.3.2 量子尺寸效应 | 第9页 |
| 1.3.3 介电限域效应 | 第9页 |
| 1.3.4 量子隧穿效应 | 第9-10页 |
| 1.3.5 库仑阻塞效应 | 第10页 |
| 1.4 低维半导体纳米材料的制备 | 第10-12页 |
| 1.4.1 物理制备方法 | 第10-11页 |
| 1.4.2 化学制备方法 | 第11-12页 |
| 1.5 低维半导体纳米材料的应用 | 第12-15页 |
| 1.5.1 发光器件 | 第12页 |
| 1.5.2 场效应晶体管 | 第12-13页 |
| 1.5.3 光伏器件 | 第13-14页 |
| 1.5.4 锂离子电池 | 第14页 |
| 1.5.5 光催化 | 第14-15页 |
| 1.6 透射电镜在低维半导体纳米材料表征中的应用 | 第15-16页 |
| 1.7 选题目的与意义 | 第16-17页 |
| 第二章 不同退火温度下所制备的锗纳米晶受应力作用而产生的微观结构演变 | 第17-29页 |
| 2.1 研究背景 | 第17页 |
| 2.2 实验方法 | 第17-18页 |
| 2.3 结果与讨论 | 第18-28页 |
| 2.4 结论 | 第28-29页 |
| 第三章 磷化铟纳米线中不同角度的弯曲结构的形成机理 | 第29-38页 |
| 3.1 研究背景 | 第29页 |
| 3.2 实验方法 | 第29-30页 |
| 3.2.1 磷化铟纳米线的合成 | 第29-30页 |
| 3.2.2 磷化铟纳米线的表征 | 第30页 |
| 3.3 结果与讨论 | 第30-37页 |
| 3.4 小结 | 第37-38页 |
| 第四章 磷化铟纳米线直径对孪晶缺陷密度的影响 | 第38-44页 |
| 4.1 研究背景 | 第38-39页 |
| 4.2 实验方法 | 第39页 |
| 4.2.1 磷化铟纳米线的合成 | 第39页 |
| 4.2.2 磷化铟纳米线的表征 | 第39页 |
| 4.3 结果与讨论 | 第39-43页 |
| 4.4 小结 | 第43-44页 |
| 总结与展望 | 第44-45页 |
| 参考文献 | 第45-54页 |
| 攻读硕士学位期间的研究成果 | 第54-55页 |
| 致谢 | 第55-56页 |