应变硅MOS器件的应变特性

摘要	第1-4页
Abstract	第4-8页
第一章 绪论	第8-12页
·课题研究背景和意义	第8-9页
·国内外研究发展状况	第9-11页
·论文的主要研究工作和内容	第11-12页
第二章 应变硅器件的物理特性	第12-28页
·应变硅材料晶格结构分析	第12-14页
·应变硅材料能带结构分析	第14-20页
·应变硅导带结构分析	第14-15页
·应变硅价带结构分析	第15-17页
·双轴应变硅MOS 器件迁移率的增强机理	第17-20页
·应变硅器件的分类及引入方法	第20-26页
·应变硅器件类型	第20页
·全局应变	第20-22页
·局部应变	第22-26页
·本章小结	第26-28页
第三章 单轴应变硅MOS 器件的有限元研究	第28-44页
·应力和应变	第28-29页
·应变的物理测量方法	第29-31页
·拉曼光谱法	第29-30页
·会聚束电子衍射法	第30-31页
·有限元软件ANSYS	第31-35页
·有限元软件ANSYS 简介	第31-32页
·有限元分析方法和步骤	第32-35页
·单轴器件ANSYS 模拟的结果和分析	第35-43页
·Ge 组分对应变的影响	第38-39页
·源漏间距对应变的影响	第39-41页
·刻蚀深度对应变的影响	第41-42页
·抬高高度对应变的影响	第42-43页
·本章小结	第43-44页
第四章 双轴应变硅MOS 器件的有限元研究	第44-54页
·应变Si/SiGe 的临界厚度	第44-47页
·应变Si 层的临界厚度	第44-45页
·应变SiGe 层的临界厚度	第45-47页
·双轴器件ANSYS 模拟结果和分析	第47-53页
·有限元模型的建立和模拟	第47-49页
·Ge 组分对应变的影响	第49-50页
·应变Si 厚度对应变的影响	第50-51页
·SiGe 层厚度对应变的影响	第51-52页
·器件宽度对应变的影响	第52-53页
·本章小结	第53-54页
第五章 结论	第54-56页
致谢	第56-58页
参考文献	第58-64页
研究成果	第64-65页