| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·研究背景 | 第7-8页 |
| ·金属栅/高k 栅介质的应用 | 第8-13页 |
| ·高k 栅介质的应用 | 第8-10页 |
| ·金属栅取代传统多晶硅栅 | 第10-12页 |
| ·金属栅材料的选择 | 第12-13页 |
| ·小结及论文内容安排 | 第13-15页 |
| 第二章 金属栅/高k 栅介质主要制备工艺 | 第15-27页 |
| ·常见高k 栅介质薄膜制备方法 | 第15-20页 |
| ·化学气相沉积法 | 第15-16页 |
| ·物理气相沉积法 | 第16-17页 |
| ·激光脉冲沉积法 | 第17页 |
| ·原子层淀积法 | 第17-20页 |
| ·金属栅的制作 | 第20-25页 |
| ·单金属方法 | 第20-21页 |
| ·双金属方法 | 第21页 |
| ·金属互扩散方法 | 第21-22页 |
| ·单金属双功函数方法 | 第22-23页 |
| ·全硅化方法 | 第23-25页 |
| ·本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章 器件模型及结构的选择 | 第27-35页 |
| ·模拟工具ISE-TCAD 简介 | 第27-28页 |
| ·新型材料HfO_2 的选择及添加 | 第28-30页 |
| ·新型材料HfO_2 的选择 | 第28-29页 |
| ·新型材料HfO_2 的添加 | 第29-30页 |
| ·器件结构及模型的选择 | 第30-34页 |
| ·金属栅/HfO_2 堆叠介质MOSFET 结构的生成 | 第30-32页 |
| ·堆叠结构的工艺过程 | 第32-33页 |
| ·模型参数的选择 | 第33-34页 |
| ·本章小结 | 第34-35页 |
| 第四章 高k HfO_2/SiO_2 MOS 器件性质的研究 | 第35-49页 |
| ·ISE 模拟器件参数优化 | 第35-40页 |
| ·衬底掺杂浓度的影响 | 第37页 |
| ·栅介质层尺寸及同尺寸下堆叠栅结构的影响 | 第37-39页 |
| ·载流子有效质量的影响 | 第39-40页 |
| ·影响漏电流的主要传导机制及模型 | 第40-44页 |
| ·MOS 器件直接隧穿栅电流的影响 | 第42-43页 |
| ·MOS 器件F-N 隧穿电流的影响 | 第43-44页 |
| ·器件的特性仿真 | 第44-48页 |
| ·缺陷的密度及位置对器件击穿电压的影响 | 第45-46页 |
| ·HfO_2 薄膜的击穿机理与模型 | 第46-47页 |
| ·软击穿和硬击穿的模型 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 结论与展望 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
| 参考文献 | 第52-56页 |
| 研究成果 | 第56-57页 |