| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-31页 |
| 1.1 电力电子技术与功率半导体器件 | 第11-16页 |
| 1.2 硅极限与超结器件 | 第16-19页 |
| 1.3 超结器件的衍变与发展 | 第19-24页 |
| 1.4 在耐压区引入高介电系数（Hk）介质的新型功率器件 | 第24-28页 |
| 1.5 本章小结 | 第28-29页 |
| 1.6 本文的主要研究工作 | 第29-31页 |
| 第二章 具有更低比导通电阻的六角形元胞Hk-MOSFET | 第31-48页 |
| 2.1 叉指型元胞Hk-MOSFET的比导通电阻 | 第31-33页 |
| 2.2 六角形元胞Hk-MOSFET的比导通电阻与耐压的关系 | 第33-39页 |
| 2.2.1 第一种六角形元胞的比导通电阻 | 第34-36页 |
| 2.2.2 第二种六角形元胞的比导通电阻 | 第36-39页 |
| 2.3 六角形元胞的仿真方法 | 第39-40页 |
| 2.4 器件特性仿真 | 第40-46页 |
| 2.5 本章小结 | 第46-48页 |
| 第三章 一种具有电荷存储机制的纵向超结器件 | 第48-80页 |
| 3.1 在n柱和p柱之间存在薄氧化层的超结器件 | 第49-53页 |
| 3.1.1 基本结构 | 第49-50页 |
| 3.1.2 一种利用结边缘技术疏导p柱内泄漏电流的方法 | 第50-53页 |
| 3.2 在漂移区引入积累层载流子的超结器件 | 第53-61页 |
| 3.2.1 已有的方法 | 第53-55页 |
| 3.2.2 本文采用的器件结构 | 第55-58页 |
| 3.2.3 本文利用结边缘技术疏导p柱栅内泄漏电流的方法 | 第58-61页 |
| 3.3 一种降低器件有效栅电荷的方法 | 第61-79页 |
| 3.3.1 基本原理 | 第61-65页 |
| 3.3.2 一种可集成的低压电源技术的利用 | 第65-68页 |
| 3.3.3 器件特性仿真 | 第68-79页 |
| 3.4 本章小结 | 第79-80页 |
| 第四章 一种具有栅电荷存储机制的LDMOS | 第80-102页 |
| 4.1 几种横向功率MOSFET简介 | 第80-84页 |
| 4.2 已有的在漂移区引入积累层载流子的LDMOS | 第84-87页 |
| 4.3 本文提出的具有栅电荷存储机制的积累层LDMOS | 第87-100页 |
| 4.3.1 基本结构与原理 | 第87-92页 |
| 4.3.2 器件特性仿真 | 第92-100页 |
| 4.4 本章小结 | 第100-102页 |
| 第五章 结论与展望 | 第102-104页 |
| 5.1 结论 | 第102-103页 |
| 5.2 后续工作展望 | 第103-104页 |
| 附录 与本文有关的特殊函数与公式推导 | 第104-106页 |
| 致谢 | 第106-107页 |
| 参考文献 | 第107-113页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第113-114页 |
