| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-32页 |
| 1.1 半导体功率器件发展概述 | 第11-17页 |
| 1.2 IGBT的发展概述 | 第17-21页 |
| 1.3 RC-IGBT的发展概述 | 第21-30页 |
| 1.4 本论文的主要研究工作 | 第30-31页 |
| 1.5 本章小结 | 第31-32页 |
| 第二章 IGBT与功率二极管 | 第32-47页 |
| 2.1 IGBT的特性 | 第32-38页 |
| 2.1.1 IGBT的静态特性 | 第32-35页 |
| 2.1.2 IGBT的动态特性 | 第35-38页 |
| 2.2 功率二极管的特性 | 第38-46页 |
| 2.2.1 功率二极管的静态特性 | 第38-42页 |
| 2.2.2 功率二极管的动态特性 | 第42-46页 |
| 2.3 本章小结 | 第46-47页 |
| 第三章 RC-IGBT中P-EMITTER区长度的理论计算 | 第47-58页 |
| 3.1 工作背景 | 第47页 |
| 3.2 RC-IGBT发生电压折回原因的详细分析 | 第47-49页 |
| 3.3 RC-IGBT实现snapback-free所需条件 | 第49-51页 |
| 3.4 N-buffer区扩展电阻Rn的计算 | 第51-53页 |
| 3.5 RC-IGBT实现snapback-free所需最小Lp的计算 | 第53页 |
| 3.6 数值仿真验证 | 第53-57页 |
| 3.7 本章小结 | 第57-58页 |
| 第四章 RC-IGBT反向恢复失效机理研究 | 第58-71页 |
| 4.1 工作背景 | 第58-61页 |
| 4.2 RC-IGBT反向恢复时的失效机理分析 | 第61-68页 |
| 4.3 少子寿命对传统RC-IGBT反向关断时闩锁的影响 | 第68-69页 |
| 4.4 温度及N+ short区的宽度对传统RC-IGBT反向关断时闩锁的影响 | 第69页 |
| 4.5 本章小结 | 第69-71页 |
| 第五章 新型RC-IGBT | 第71-101页 |
| 5.1 工作背景 | 第71页 |
| 5.2 新型阳极栅RC-IGBT | 第71-82页 |
| 5.2.1 阳极栅RC-IGBT的IGBT工作模式 | 第71-76页 |
| 5.2.2 阳极栅RC-IGBT的MCT工作模式 | 第76-79页 |
| 5.2.3 阳极栅RC-IGBT的瞬态特性 | 第79-81页 |
| 5.2.4 阳极栅RC-IGBT研究小结 | 第81-82页 |
| 5.3 槽栅型AG-RC-IGBT | 第82-94页 |
| 5.3.1 IGBT模式的槽栅型AG-RC-IGBT | 第82-85页 |
| 5.3.2 ATG-RC-IGBT的反向关断安全工作区 | 第85-88页 |
| 5.3.3 MCT模式的槽栅型AG-RC-IGBT | 第88-94页 |
| 5.3.4 槽栅型AG-RC-IGBT研究小结 | 第94页 |
| 5.4 肖克莱RC-IGBT | 第94-100页 |
| 5.5 本章小结 | 第100-101页 |
| 第六章 结论与展望 | 第101-103页 |
| 致谢 | 第103-104页 |
| 参考文献 | 第104-111页 |
| 攻读博士学位期间取得的成果 | 第111-112页 |
