首页--工业技术论文--无线电电子学、电信技术论文--半导体技术论文--一般性问题论文--半导体器件制造工艺及设备论文--光刻、掩膜论文

显影液中光刻胶浓度对特征线宽的影响研究

摘要第5-6页
Abstract第6-7页
第一章 绪论第9-10页
第二章 曝光显影原理与显影回收系统介绍第10-47页
    2.1 涂布第18页
    2.2 软烤第18-20页
    2.3 曝光第20-22页
    2.4 光罩第22-23页
    2.5 光源第23页
    2.6 显影第23-29页
    2.7 硬烤第29-30页
    2.8 光刻胶的特性第30-31页
    2.9 显影液回收系统第31-38页
        2.9.1 基本架构第31-32页
        2.9.2 浓度稀释系统第32-33页
        2.9.3 浓度监控系统第33-38页
    2.10 光刻胶过滤膜系统第38-47页
        2.10.1 系统概述第38-40页
        2.10.2 过滤膜的特性与分离机理第40-45页
        2.10.3 光刻胶过滤膜的应用第45-47页
第三章 显影液中光刻胶浓度对特征线宽影响的研究第47-73页
    3.1 特征线宽的变化趋势研究第47-61页
        3.1.1 特征线宽变化的特性第50-53页
        3.1.2 光罩对特征线宽变化特性的影响第53-58页
        3.1.3 显影时间对特征线宽变化特性的影响第58-61页
    3.2 特征线宽的关键影响因子研究第61-71页
        3.2.1 测量工具的稳定性分析第67-68页
        3.2.2 制作条件影响特征线宽的验证第68-71页
    3.3 显影液中光刻胶浓度对特征线宽变化影响的研究第71-73页
        3.3.1 显影液中光刻胶浓度对特征线宽变化的一次拟合方程研究第71页
        3.3.2 显影液中光刻胶浓度对特征线宽变化的二次拟合方程研究第71-73页
第四章 结论第73-74页
参考文献第74-80页
附录第80-84页
攻读硕士学位期间取得的研究成果第84-85页
致谢第85-86页
附件第86页

论文共86页,点击 下载论文
上一篇:基于表面势的单栅与围栅多晶硅薄膜晶体管紧凑模型的研究
下一篇:大带宽微波光子移相器研究