| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第8-11页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第8-9页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第9-10页 |
| 1.3 主要研究内容及论文结构 | 第10页 |
| 1.4 本章小结 | 第10-11页 |
| 第二章 单栅多晶硅TFT的表面势算法及其交直流模型 | 第11-27页 |
| 2.1 引言 | 第11-12页 |
| 2.2 单栅多晶硅TFT模型的表面势算法 | 第12-16页 |
| 2.3 单栅多晶硅TFT的漏电流模型 | 第16-18页 |
| 2.4 单栅多晶硅TFT的电容模型 | 第18-20页 |
| 2.5 结果验证与讨论 | 第20-26页 |
| 2.6 本章小结 | 第26-27页 |
| 第三章 围栅多晶硅TFT的表面势算法及其交直流模型 | 第27-41页 |
| 3.1 引言 | 第27-28页 |
| 3.2 围栅多晶硅TFT的表面势算法 | 第28-30页 |
| 3.3 围栅多晶硅TFT的漏电流模型 | 第30-31页 |
| 3.4 围栅多晶硅TFT的电容模型 | 第31-33页 |
| 3.5 结果验证与讨论 | 第33-40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 总结与展望 | 第41-42页 |
| 参考文献 | 第42-45页 |
| 致谢 | 第45页 |