离子注入中金属污染的防治措施
| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第13-24页 |
| 1.1 课题背景 | 第13-14页 |
| 1.2 半导体产业技术发展 | 第14-19页 |
| 1.3 工业化生产的需求 | 第19-21页 |
| 1.4 提高成品率的需求 | 第21-24页 |
| 第2章 离子注入金属污染的现象和成因 | 第24-44页 |
| 2.1 离子注入金属污染的定义 | 第24-25页 |
| 2.2 离子注入金属污染的元素组成 | 第25-29页 |
| 2.3 离子注入金属污染成因分析 | 第29-44页 |
| 2.3.1 解离金属污染 | 第31-35页 |
| 2.3.2 溅射金属污染 | 第35-41页 |
| 2.3.3 生产金属污染 | 第41-44页 |
| 第3章 离子注入金属污染的解决方案 | 第44-60页 |
| 3.1 设备部件的改进 | 第45-54页 |
| 3.1.1 增加硅保护层 | 第45-48页 |
| 3.1.2 离子源材料的改进 | 第48-51页 |
| 3.1.3 极板材料的改进 | 第51-54页 |
| 3.2 生产管理系统的改进 | 第54-57页 |
| 3.2.1 自动工程试验系统 | 第55-56页 |
| 3.2.2 自动日常检测系统 | 第56-57页 |
| 3.3 金属污染监测的改进 | 第57-60页 |
| 3.3.1 传统的SIMS 测量 | 第57-58页 |
| 3.3.2 TXRF 测量 | 第58-59页 |
| 3.3.3 改进后的测量方式 | 第59-60页 |
| 结论 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-63页 |
| 注释 | 第63-64页 |
| 致谢 | 第64-65页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第65页 |
