| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-28页 |
| 1.1 简介 | 第14-18页 |
| 1.1.1 集成电路的发展 | 第14-15页 |
| 1.1.2 MOSFET的特征尺寸缩小 | 第15-18页 |
| 1.2 高介电常数栅介质介绍 | 第18-20页 |
| 1.2.1 MOSFET的特征尺寸缩小 | 第19-20页 |
| 1.2.2 栅介质材料与衬底的界面特性 | 第20页 |
| 1.3 迁移率的饱和问题 | 第20-25页 |
| 1.3.1 迁移率的饱和问题 | 第20-22页 |
| 1.3.2 与新型沟道的工艺集成 | 第22-23页 |
| 1.3.3 CMOS的下一步发展前景 | 第23-25页 |
| 1.4 本文的研究成果 | 第25-28页 |
| 第二章 La_2O_3/SiO_2栅结构的ALD工艺优化与特性分析 | 第28-40页 |
| 2.1 高介电常数栅介质La_2O_3介绍 | 第28-30页 |
| 2.1.1 高介电常数栅介质的选择及La_2O_3的优越性 | 第28-29页 |
| 2.1.2 La_2O_3栅介质需要解决的问题 | 第29-30页 |
| 2.2 原子层淀积技术制备La_2O_3/SiO_2栅结构 | 第30-35页 |
| 2.2.1 原子层淀积技术制备La_2O_3/SiO_2栅结构的原理 | 第30-32页 |
| 2.2.2 原子层淀积技术制备La_2O_3/SiO_2栅前的样品处理 | 第32-33页 |
| 2.2.3 淀积温度对La_2O_3/SiO_2栅机构的影响 | 第33-34页 |
| 2.2.4 氧化剂Purge Time对La_2O_3/SiO_2栅机构的影响 | 第34-35页 |
| 2.3 La_2O_3/SiO_2栅结构退火前后的特性变化 | 第35-38页 |
| 2.3.1 介质形貌的原子力显微镜测试 | 第35-36页 |
| 2.3.2 La_2O_3/SiO_2栅结构退火前后的表面形貌变化 | 第36-37页 |
| 2.3.3 La_2O_3/SiO_2栅结构退火前后的电学特性变化 | 第37页 |
| 2.3.4 La_2O_3/SiO_2栅结构退火后的相对介电常数计算 | 第37-38页 |
| 2.4 本章小结 | 第38-40页 |
| 第三章 La-Al-O/SiO_2栅结构的制备与特性分析 | 第40-48页 |
| 3.1 不同La/Al原子配比的La-Al-O/SiO_2栅结构制备 | 第40-42页 |
| 3.2 不同La/Al比的La-Al-O/SiO_2栅结构电学特性 | 第42-44页 |
| 3.2.1 理想的MOS结构高频C-V特性 | 第42-43页 |
| 3.2.2 不同La/Al原子配比的La-Al-O/SiO_2栅结构的电学特性分析 | 第43-44页 |
| 3.3 不同La/Al原子配比的La-Al-O/SiO_2栅结构的化学特性 | 第44-46页 |
| 3.3.1 介质样品的XPS化学组分分析 | 第44-45页 |
| 3.3.2 不同La/Al原子配比的La-Al-O/SiO_2栅结构的化学特性分析 | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 La_2O_3/SiO_2与La-Al-O/SiO_2栅结构的带隙研究 | 第48-56页 |
| 4.1 椭偏仪的带隙宽度测试原理 | 第48-51页 |
| 4.2 La_2O_3栅介质的带隙研究 | 第51-53页 |
| 4.3 La/Al比的La-Al-O介质薄膜的带隙结构 | 第53-55页 |
| 4.4 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结束语 | 第56-60页 |
| 5.1 总结 | 第56-58页 |
| 5.2 展望 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 致谢 | 第64-66页 |
| 作者简介 | 第66-67页 |
