| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 GaN材料特性以及HEMTs器件研究进展 | 第16-17页 |
| 1.2 GaN HEMTs器件热可靠性的研究发展及现状 | 第17-19页 |
| 1.3 本文的主要工作和安排 | 第19-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMTs器件结温建模 | 第22-36页 |
| 2.1 热分析基础理论 | 第22-25页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMTs器件基本工作原理 | 第22-23页 |
| 2.1.2 热学基本理论 | 第23-24页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMTs器件的自热效应 | 第24-25页 |
| 2.2 单栅AlGaN/GaN HEMTs器件二维电热耦合模型 | 第25-30页 |
| 2.3 单栅AlGaN/GaN HEMTs器件三维有限元热模型 | 第30-35页 |
| 2.3.1 三维有限元热模型的建立 | 第30-34页 |
| 2.3.2 热导率对热仿真的影响 | 第34-35页 |
| 2.4 本章小结 | 第35-36页 |
| 第三章 AlGaN/GaN HEMTs器件结温测试 | 第36-48页 |
| 3.1 器件结温测试方法 | 第36-41页 |
| 3.1.1 物理接触法 | 第36-38页 |
| 3.1.2 光学方法 | 第38-39页 |
| 3.1.3 电学方法 | 第39-41页 |
| 3.2 AlGaN/GaN HEMTs器件电学方法结温测试 | 第41-46页 |
| 3.2.1 电学方法一 | 第41-43页 |
| 3.2.2 电学方法二 | 第43-45页 |
| 3.2.3 电学测试与仿真结果的分析 | 第45-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 AlGaN/GaN HEMTs器件变温特性的研究 | 第48-60页 |
| 4.1 AlGaN/GaN HEMTs器件的变温特性 | 第48-52页 |
| 4.1.1 温度对欧姆接触的影响 | 第48-49页 |
| 4.1.2 温度对直流特性的影响 | 第49-52页 |
| 4.2 温度对AlGaN/GaN HEMTs肖特基接触正向电流输运机制的影响 | 第52-58页 |
| 4.3 本章小结 | 第58-60页 |
| 第五章 结论与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 致谢 | 第68-70页 |
| 作者简介 | 第70-71页 |
