| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-14页 |
| 缩略语对照表 | 第14-17页 |
| 第一章 绪论 | 第17-27页 |
| 1.1 GaN材料的优势及GaN基器件的发展 | 第17-23页 |
| 1.1.1 AlGaN/GaN HEMT器件的发展过程 | 第19页 |
| 1.1.2 GaN基增强型HEMT器件的实现 | 第19-23页 |
| 1.2 AlGaN/GaN HEMT器件可靠性研究现状 | 第23-24页 |
| 1.3 本论文研究内容及工作安排 | 第24-27页 |
| 第二章 GaN HEMT器件基本原理及F注入增强型器件的制备 | 第27-43页 |
| 2.1 F注入实现增强型器件的基本原理 | 第27-33页 |
| 2.1.1 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第27-30页 |
| 2.1.2 F注入增强型AlGaN/GaN HEMT的实现原理 | 第30-33页 |
| 2.2 F离子注入增强型AlGaN/GaN HEMTs器件的制备 | 第33-42页 |
| 2.2.1 关键工艺步骤 | 第33-36页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件的工艺流程 | 第36-37页 |
| 2.2.3 退火对器件的直流特性参数的影响 | 第37-42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 第三章 F注入增强型HEMT器件在栅过载应力下的退化机制研究 | 第43-55页 |
| 3.1 实验条件及退化现象 | 第43-46页 |
| 3.1.1 样品及实验安排 | 第43-44页 |
| 3.1.2 实验条件的选择 | 第44-45页 |
| 3.1.3 典型的器件退化现象 | 第45-46页 |
| 3.2 退化机理研究 | 第46-51页 |
| 3.2.1 退化后器件特性分析 | 第49-50页 |
| 3.2.2 漏极偏置对器件退化的影响 | 第50-51页 |
| 3.3 栅过载应力下器件退化规律模型 | 第51-52页 |
| 3.4 提高栅过载应力下器件的可靠性方法 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-55页 |
| 第四章 F注入增强型AlGaN/GaN HEMT器件在高场应力下的退化机制分析 | 第55-67页 |
| 4.1 关态应力退化机制分析 | 第55-61页 |
| 4.1.1 关态高场应力研究 | 第55-60页 |
| 4.1.2 关态高场应力下器件退化规律模型 | 第60-61页 |
| 4.2 开态高场应力退化机制分析 | 第61-64页 |
| 4.2.1 开态应力研究 | 第61-63页 |
| 4.2.2 开态高场应力下器件退化规律模型 | 第63-64页 |
| 4.3 改善高场应力F注入增强型器件可靠性的方法 | 第64-65页 |
| 4.4 本章小结 | 第65-67页 |
| 第五章 结束语 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 作者简介 | 第75-76页 |
