TSV诱发应力对邻近MOS器件的效应研究
| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 引言 | 第15-18页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第18-19页 |
| 1.3 论文研究内容和组织结构 | 第19-21页 |
| 第二章 三维集成及应力可靠性 | 第21-33页 |
| 2.1 三维集成简介 | 第21-24页 |
| 2.2 TSV互连技术 | 第24-26页 |
| 2.3 TSV诱发应力 | 第26-27页 |
| 2.4 应力引起的可靠性问题 | 第27-33页 |
| 2.4.1 界面分层 | 第28页 |
| 2.4.2 迁移率变化 | 第28-30页 |
| 2.4.3 能带变化 | 第30-31页 |
| 2.4.4 电路延迟 | 第31-33页 |
| 第三章 TSV诱发应力分布的解析模型 | 第33-39页 |
| 3.1 3D半解析模型 | 第33-35页 |
| 3.2 应力分布的解析模型 | 第35-37页 |
| 3.3 结论 | 第37-39页 |
| 第四章 TSV诱发应力引起迁移率变化模型 | 第39-47页 |
| 4.1 迁移率变化模型 | 第39-42页 |
| 4.2 分析与讨论 | 第42-45页 |
| 4.3 结论 | 第45-47页 |
| 第五章 TSV诱发应力对邻近MOS器件的影响 | 第47-61页 |
| 5.1 应力对MOS器件饱和电流的影响 | 第47-52页 |
| 5.1.1 仿真结果 | 第47-50页 |
| 5.1.2 分析与讨论 | 第50-52页 |
| 5.2 应力对MOSFET阈值电压的影响 | 第52-55页 |
| 5.2.1 阈值电压变化 | 第53页 |
| 5.2.2 分析 | 第53-55页 |
| 5.3 应力分布的KOZ | 第55-57页 |
| 5.4 器件排布优化 | 第57-59页 |
| 5.5 结论 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-65页 |
| 6.1 总结 | 第61-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-71页 |
| 致谢 | 第71-73页 |
| 作者简介 | 第73-74页 |
