一种钳位电路的ESD保护研究与实现
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第7-13页 |
| 1.1 研究的背景与意义 | 第7-8页 |
| 1.2 国内外研究现状与发展趋势 | 第8-10页 |
| 1.3 研究内容与设计指标 | 第10-12页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第12-13页 |
| 第二章 ESD模型原理、模拟仿真特性与设计指标 | 第13-23页 |
| 2.1 静电放电(ESD)原理与模型 | 第13-15页 |
| 2.2 ESD模拟仿真的分析 | 第15-17页 |
| 2.3 多脉冲与单脉冲TLP仿真的区别 | 第17-19页 |
| 2.4 ESD保护设计指标参数与分析 | 第19-21页 |
| 2.5 常用ESD保护保护原理分析 | 第21-22页 |
| 2.6 本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 钳位电路ESD电路保护设计与验证 | 第23-33页 |
| 3.1 钳位电路简介及ESD设计难点 | 第23-24页 |
| 3.2 GRNMOS的ESD保护方案 | 第24-26页 |
| 3.3 GRNMOS的仿真与模拟 | 第26-29页 |
| 3.4 GGNMOS与GRNMOS的分析 | 第29-32页 |
| 3.5 本章小结 | 第32-33页 |
| 第四章 ESD的测试与判定方法 | 第33-38页 |
| 4.1 ESD测试组合 | 第33-34页 |
| 4.2 ESD测试结果的判定 | 第34-35页 |
| 4.3 ESD失效准则 | 第35-36页 |
| 4.4 ESD测试设备简介 | 第36-37页 |
| 4.5 本章小结 | 第37-38页 |
| 第五章 GRNMOS的测试结果与分析 | 第38-45页 |
| 5.1 GRNMOS的测试 | 第38-40页 |
| 5.1.1 GRNMOS尺寸列表 | 第38-39页 |
| 5.1.2 GRNMOS的TLP测试结果 | 第39-40页 |
| 5.2 GRNMOS的测试结果分析 | 第40-42页 |
| 5.2.1 GRNMOS的触发电压Vtrl的分析 | 第40-41页 |
| 5.2.2 GRNMOS的维持电压Vh的分析 | 第41页 |
| 5.2.3 GRNMOS的随能力It2的分析 | 第41-42页 |
| 5.3 GRNMOS的选择 | 第42页 |
| 5.4 GRNMOS模拟仿真结果与测试结果对比 | 第42-43页 |
| 5.5 GRNMOS应用在钳位电路上的测试结果 | 第43-44页 |
| 5.6 本章小结 | 第44-45页 |
| 第六章 总结与展望 | 第45-47页 |
| 6.1 总结 | 第45-46页 |
| 6.2 展望 | 第46-47页 |
| 第七章 致谢 | 第47-48页 |
| 参考文献 | 第48-50页 |
| 附录 | 第50-54页 |
