0.6V 40nm低电压标准单元库设计
| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-15页 |
| 1.1 课题研究背景和意义 | 第9-10页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第10-13页 |
| 1.3 论文研究内容及意义 | 第13页 |
| 1.4 论文组织结构 | 第13-15页 |
| 第二章 标准单元库设计基础 | 第15-26页 |
| 2.1 标准单元指标 | 第15-17页 |
| 2.2 标准单元版图规格 | 第17-18页 |
| 2.3 标准单元版图寄生效应 | 第18-22页 |
| 2.3.1 阱边界接近效应 | 第18-20页 |
| 2.3.2 浅槽隔离压力效应 | 第20-21页 |
| 2.3.3 寄生电容 | 第21-22页 |
| 2.4 近阈值标准单元特征 | 第22-24页 |
| 2.4.1 性能恶化 | 第22页 |
| 2.4.2 上升下降延时不平衡 | 第22-23页 |
| 2.4.3 温度反型效应 | 第23页 |
| 2.4.4 版图寄生效应影响严重 | 第23-24页 |
| 2.5 本章小结 | 第24-26页 |
| 第三章 近阈值标准单元设计 | 第26-55页 |
| 3.1 近阈值标准单元性能恶化分析 | 第26-28页 |
| 3.2 标准单元设计参数 | 第28-30页 |
| 3.3 标准单元设计方案 | 第30-31页 |
| 3.4 标准单元设计数学优化模型 | 第31-46页 |
| 3.4.1 设计变量 | 第32页 |
| 3.4.2 延时模型 | 第32-45页 |
| 3.4.3 面积模型 | 第45-46页 |
| 3.4.4 目标函数 | 第46页 |
| 3.5 标准单元设计与结果 | 第46-54页 |
| 3.6 本章小结 | 第54-55页 |
| 第四章 近阈值标准单元建库 | 第55-61页 |
| 4.1 建库方法概述 | 第55-57页 |
| 4.1.1 标准单元建库流程 | 第55页 |
| 4.1.2 单元库时序准确性 | 第55-56页 |
| 4.1.3 时序准确性——建库因素 | 第56-57页 |
| 4.2 近闽值标准单元建库激励波形 | 第57-59页 |
| 4.3 单元库时序准确性验证 | 第59-60页 |
| 4.4 本章小结 | 第60-61页 |
| 第五章 近阈值标准单元库验证 | 第61-68页 |
| 5.1 标准单元库验证方法 | 第61-62页 |
| 5.2 验证结果与讨论 | 第62-67页 |
| 5.2.1 标准单元库指标对比 | 第62-65页 |
| 5.2.2 性能讨论 | 第65-66页 |
| 5.2.3 文献对比 | 第66-67页 |
| 5.2.4 设计规则总结 | 第67页 |
| 5.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第六章 总结与展望 | 第68-69页 |
| 6.1 总结 | 第68页 |
| 6.2 展望 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-73页 |
| 作者简介 | 第73页 |
