| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 目录 | 第7-10页 |
| Contents | 第10-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-21页 |
| 1.1 课题的研究背景和意义 | 第13-15页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第15-18页 |
| 1.2.1 关于失效分布的研究现状 | 第16页 |
| 1.2.2 基于失效物理的失效率模型的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.2.3 集成电路总体失效率计算的研究现状 | 第17-18页 |
| 1.3 主要研究内容 | 第18-21页 |
| 第二章 研究采用的数学方法与软件工具 | 第21-30页 |
| 2.1 蒙特卡罗方法 | 第21-22页 |
| 2.2 连续随机变量函数期望和方差的Taylor级数近似求法 | 第22-24页 |
| 2.2.1 一维随机变量函数的期望与方差 | 第23页 |
| 2.2.2 多维随机变量函数的期望与方差 | 第23-24页 |
| 2.3 对数正态分布 | 第24-25页 |
| 2.4 威布尔分布 | 第25-27页 |
| 2.5 MATLAB介绍 | 第27-28页 |
| 2.6 Visual Basic介绍 | 第28页 |
| 2.7 本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 四种机理失效分布基于失效物理的模型 | 第30-54页 |
| 3.1 热载流子注入(HCI) | 第30-39页 |
| 3.1.1 物理模型 | 第31-34页 |
| 3.1.2 HCI失效分布的蒙特卡罗仿真 | 第34-37页 |
| 3.1.3 HCI寿命的期望与方差的近似求法 | 第37-39页 |
| 3.2 负偏压温度不稳定性(NBTI) | 第39-44页 |
| 3.2.1 物理模型 | 第39-42页 |
| 3.2.2 NBTI失效分布的蒙特卡罗仿真 | 第42-44页 |
| 3.2.3 NBTI寿命的期望与方差的近似求法 | 第44页 |
| 3.3 与时间相关的介质层击穿(TDDB) | 第44-48页 |
| 3.3.1 物理模型 | 第45-48页 |
| 3.4 电迁移(EM) | 第48-53页 |
| 3.4.1 物理模型 | 第49-50页 |
| 3.4.2 EM失效分布的蒙特卡罗仿真 | 第50-52页 |
| 3.4.3 EM寿命的期望与方差的近似求法 | 第52-53页 |
| 3.5 本章小结 | 第53-54页 |
| 第四章 仿真结果与讨论 | 第54-67页 |
| 4.1 HCI仿真结果与讨论 | 第54-58页 |
| 4.1.1 蒙特考罗仿真对失效分布的确定 | 第54-56页 |
| 4.1.2 蒙特考罗仿真对主要影响因素的确定 | 第56-57页 |
| 4.1.3 期望方差的近似求解 | 第57-58页 |
| 4.2 NBTI仿真结果与讨论 | 第58-61页 |
| 4.2.1 蒙特卡罗仿真对失效分布的确定 | 第58-59页 |
| 4.2.2 蒙特考罗仿真对主要影响因素的确定 | 第59-60页 |
| 4.2.3 期望方差的近似求解 | 第60-61页 |
| 4.3 EM仿真结果与讨论 | 第61-64页 |
| 4.3.1 蒙特卡罗仿真对失效分布的确定 | 第61-63页 |
| 4.3.2 蒙特考罗仿真对主要影响因素的确定 | 第63-64页 |
| 4.3.3 期望方差的近似求解 | 第64页 |
| 4.4 TDDB计算结果讨论 | 第64-66页 |
| 4.5 本章小结 | 第66-67页 |
| 第五章 集成电路失效率的计算及软件实现 | 第67-74页 |
| 5.1 集成电路的总体失效分布 | 第67-69页 |
| 5.1.1 集成电路单失效机理的失效分布 | 第67-68页 |
| 5.1.2 集成电路多种失效机理的失效率函数 | 第68页 |
| 5.1.3 集成电路总失效率的计算 | 第68-69页 |
| 5.2 计算软件的实现 | 第69-73页 |
| 5.3 本章小结 | 第73-74页 |
| 结论 | 第74-75页 |
| 参考文献 | 第75-78页 |
| 攻读硕士学位发表的论文 | 第78-80页 |
| 致谢 | 第80页 |