高能物理实验高速光纤驱动器ASIC芯片设计
摘要 | 第1-7页 |
ABSTRACT | 第7-13页 |
图目录 | 第13-16页 |
表目录 | 第16-17页 |
縮略词对照表 | 第17-20页 |
第1章 绪论 | 第20-28页 |
·高能物理实验 | 第20-23页 |
·实验装置 | 第20-22页 |
·ATLAS辐照环境 | 第22-23页 |
·专用集成电路 | 第23-28页 |
·ASIC的现状 | 第24页 |
·ASIC的优势 | 第24-27页 |
·ASIC在ATLAS中的应用 | 第27-28页 |
第2章 ATLAS探测器中的光纤链 | 第28-36页 |
·ATLAS光纤通信 | 第28-30页 |
·Versatile Link | 第29页 |
·GigaBit Transceiver | 第29-30页 |
·ATLAS光纤通信特点 | 第30页 |
·GBLD | 第30页 |
·液氩量能器光纤链升级 | 第30-33页 |
·液氩量能器光纤链 | 第31-32页 |
·液氩量能器光纤链升级 | 第32-33页 |
·VCSEL驱动器需求 | 第33-36页 |
·抗辐照需求 | 第33页 |
·电子学特性需求 | 第33-36页 |
第3章 粒子辐照与辐照加固 | 第36-44页 |
·粒子辐照机制 | 第36-37页 |
·电离效应 | 第36-37页 |
·位移效应 | 第37页 |
·粒子辐照影响的分类 | 第37-39页 |
·电离总剂量效应 | 第37-38页 |
·单事例效应 | 第38-39页 |
·辐照加固 | 第39-43页 |
·特殊布局 | 第40-42页 |
·特殊工艺 | 第42-43页 |
·LOCld的抗辐照实现 | 第43-44页 |
第4章 VCSEL驱动器LOCld设计 | 第44-78页 |
·常规VCSEL驱动技术 | 第44-46页 |
·带宽扩展技术 | 第46-52页 |
·工艺限制 | 第47-48页 |
·并联有源电感峰化 | 第48-51页 |
·多级驱动 | 第51页 |
·供电电压 | 第51-52页 |
·LOCld设计 | 第52-56页 |
·管脚定义 | 第52-53页 |
·原理图 | 第53-54页 |
·版图 | 第54-56页 |
·仿真 | 第56-64页 |
·后仿真 | 第57-60页 |
·调节能力 | 第60-63页 |
·技术指标 | 第63-64页 |
·测试 | 第64-72页 |
·电子学测试 | 第64-69页 |
·光学测试 | 第69-71页 |
·误码率测试 | 第71-72页 |
·辐照测试 | 第72-73页 |
·升级设计 | 第73-76页 |
·电流型DAC | 第74-75页 |
·电压型DAC | 第75页 |
·I~2C总线 | 第75-76页 |
·本章小结 | 第76-78页 |
第5章 阵列式VCSEL驱动器LOCld4设计 | 第78-86页 |
·VCSEL阵列及驱动器需求 | 第78-80页 |
·LOCW4 设计 | 第80-83页 |
·管脚定义 | 第81-82页 |
·原理图 | 第82页 |
·版图 | 第82-83页 |
·仿真与测试 | 第83-86页 |
第6章 65nm VCSEL驱动器设计 | 第86-92页 |
·65nm CMOS工艺 | 第86页 |
·技术实现 | 第86-88页 |
·仿真与测试 | 第88-89页 |
·前仿真 | 第88-89页 |
·电子学性能测试 | 第89页 |
·本章小结 | 第89-92页 |
第7章 真随机数设计 | 第92-100页 |
·真随机数产生方案 | 第92-93页 |
·TRNG2012原理 | 第93-96页 |
·理想化模型 | 第93-94页 |
·非理想模型中的随机因素 | 第94-96页 |
·TRNG2012 ASIC实现 | 第96-97页 |
·基础单元设计 | 第96-97页 |
·整体结构 | 第97页 |
·仿真 | 第97页 |
·测试 | 第97-100页 |
·电子学测试 | 第98-99页 |
·测试标准 | 第99-100页 |
第8章 总结与展望 | 第100-102页 |
·本论文内容总结 | 第100-101页 |
·展望 | 第101-102页 |
参考文献 | 第102-106页 |
附录 | 第106-122页 |
致谢 | 第122-124页 |
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果 | 第124-125页 |