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高能物理实验高速光纤驱动器ASIC芯片设计

摘要第1-7页
ABSTRACT第7-13页
图目录第13-16页
表目录第16-17页
縮略词对照表第17-20页
第1章 绪论第20-28页
   ·高能物理实验第20-23页
     ·实验装置第20-22页
     ·ATLAS辐照环境第22-23页
   ·专用集成电路第23-28页
     ·ASIC的现状第24页
     ·ASIC的优势第24-27页
     ·ASIC在ATLAS中的应用第27-28页
第2章 ATLAS探测器中的光纤链第28-36页
   ·ATLAS光纤通信第28-30页
     ·Versatile Link第29页
     ·GigaBit Transceiver第29-30页
     ·ATLAS光纤通信特点第30页
     ·GBLD第30页
   ·液氩量能器光纤链升级第30-33页
     ·液氩量能器光纤链第31-32页
     ·液氩量能器光纤链升级第32-33页
   ·VCSEL驱动器需求第33-36页
     ·抗辐照需求第33页
     ·电子学特性需求第33-36页
第3章 粒子辐照与辐照加固第36-44页
   ·粒子辐照机制第36-37页
     ·电离效应第36-37页
     ·位移效应第37页
   ·粒子辐照影响的分类第37-39页
     ·电离总剂量效应第37-38页
     ·单事例效应第38-39页
   ·辐照加固第39-43页
     ·特殊布局第40-42页
     ·特殊工艺第42-43页
   ·LOCld的抗辐照实现第43-44页
第4章 VCSEL驱动器LOCld设计第44-78页
   ·常规VCSEL驱动技术第44-46页
   ·带宽扩展技术第46-52页
     ·工艺限制第47-48页
     ·并联有源电感峰化第48-51页
     ·多级驱动第51页
     ·供电电压第51-52页
   ·LOCld设计第52-56页
     ·管脚定义第52-53页
     ·原理图第53-54页
     ·版图第54-56页
   ·仿真第56-64页
     ·后仿真第57-60页
     ·调节能力第60-63页
     ·技术指标第63-64页
   ·测试第64-72页
     ·电子学测试第64-69页
     ·光学测试第69-71页
     ·误码率测试第71-72页
   ·辐照测试第72-73页
   ·升级设计第73-76页
     ·电流型DAC第74-75页
     ·电压型DAC第75页
     ·I~2C总线第75-76页
   ·本章小结第76-78页
第5章 阵列式VCSEL驱动器LOCld4设计第78-86页
   ·VCSEL阵列及驱动器需求第78-80页
   ·LOCW4 设计第80-83页
     ·管脚定义第81-82页
     ·原理图第82页
     ·版图第82-83页
   ·仿真与测试第83-86页
第6章 65nm VCSEL驱动器设计第86-92页
   ·65nm CMOS工艺第86页
   ·技术实现第86-88页
   ·仿真与测试第88-89页
     ·前仿真第88-89页
     ·电子学性能测试第89页
   ·本章小结第89-92页
第7章 真随机数设计第92-100页
   ·真随机数产生方案第92-93页
   ·TRNG2012原理第93-96页
     ·理想化模型第93-94页
     ·非理想模型中的随机因素第94-96页
   ·TRNG2012 ASIC实现第96-97页
     ·基础单元设计第96-97页
     ·整体结构第97页
   ·仿真第97页
   ·测试第97-100页
     ·电子学测试第98-99页
     ·测试标准第99-100页
第8章 总结与展望第100-102页
   ·本论文内容总结第100-101页
   ·展望第101-102页
参考文献第102-106页
附录第106-122页
致谢第122-124页
在读期间发表的学术论文与取得的研究成果第124-125页

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