集成电路铝金属化工艺的缺陷研究
| 摘要 | 第1-3页 |
| ABSTRACT | 第3-12页 |
| 1 文献综述 | 第12-29页 |
| ·集成电路技术的发展及展望 | 第12-13页 |
| ·铝金属化工艺综述 | 第13-22页 |
| ·金属化工艺中铝材料的应用 | 第13-14页 |
| ·金属化工艺中铝硅合金的应用 | 第14-15页 |
| ·金属化工艺中铝铜合金的应用 | 第15页 |
| ·阻挡层金属钛及氮化钛的应用 | 第15-16页 |
| ·金属填充塞钨的应用 | 第16-17页 |
| ·铝金属化工艺流程 | 第17-18页 |
| ·金属化工艺原理：蒸发 | 第18页 |
| ·金属化工艺原理：溅射 | 第18-21页 |
| ·金属化工艺原理：金属 CVD | 第21-22页 |
| ·集成电路制造中的缺陷与成品率 | 第22-27页 |
| ·缺陷与成品率的关系 | 第22-23页 |
| ·缺陷的基本类型 | 第23-25页 |
| ·铝金属化工艺中的缺陷 | 第25-27页 |
| ·本论文的研究工作及其意义 | 第27-29页 |
| 2 实验原理 | 第29-41页 |
| ·样品制备技术 | 第29-34页 |
| ·铝金属层及其阻挡层的制备 | 第29-32页 |
| ·通孔阻挡层的制备 | 第32-34页 |
| ·缺陷检测技术 | 第34-35页 |
| ·缺陷分析技术 | 第35-39页 |
| ·透射电子显微镜 | 第36-37页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第37-38页 |
| ·能量色散谱仪 | 第38-39页 |
| ·可靠性测试技术 | 第39-40页 |
| ·其他实验相关技术 | 第40-41页 |
| 3 铝膜淀积时电弧放电缺陷的研究 | 第41-56页 |
| ·电弧放电缺陷的介绍 | 第41-44页 |
| ·电弧放电缺陷形成的机理分析 | 第44-48页 |
| ·绝缘体杂质对电弧放电缺陷的影响 | 第45-46页 |
| ·直流电源功率对电弧放电缺陷的影响 | 第46-48页 |
| ·电弧放电缺陷的工艺程式改进试验 | 第48-50页 |
| ·实验结果与讨论 | 第50-55页 |
| ·样品硅片的缺陷及其形貌分析 | 第50-52页 |
| ·样品硅片的成品率及可靠性分析 | 第52-53页 |
| ·改善方法讨论 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 4 铝膜淀积后环状缺陷的研究 | 第56-66页 |
| ·环状缺陷的介绍 | 第56-58页 |
| ·环状缺陷形成的机理分析 | 第58-61页 |
| ·阻挡层裂缝对环状缺陷的影响 | 第58-59页 |
| ·铝膜晶核尺寸对环状缺陷的影响 | 第59-61页 |
| ·实验设计 | 第61-62页 |
| ·实验结果及讨论 | 第62-66页 |
| ·样品硅片的缺陷及其形貌分析 | 第62-63页 |
| ·样品硅片的成品率及可靠性分析 | 第63-64页 |
| ·改善方法讨论 | 第64-65页 |
| ·本章小结 | 第65-66页 |
| 5 通孔阻挡层淀积时铝上窜缺陷的研究 | 第66-79页 |
| ·铝上窜缺陷的介绍 | 第66-68页 |
| ·铝上窜缺陷形成的机理分析 | 第68-71页 |
| ·淀积氮化钛的预热温度对铝上窜缺陷的影响 | 第68-70页 |
| ·钛的厚度对铝上窜缺陷的影响 | 第70-71页 |
| ·铝上窜缺陷的工艺程式改进实验设计 | 第71-72页 |
| ·实验结果及讨论 | 第72-79页 |
| ·样品硅片的缺陷及形貌分析 | 第72-74页 |
| ·样品硅片的成品率及可靠性分析 | 第74-75页 |
| ·改善方法讨论 | 第75-78页 |
| ·本章小结 | 第78-79页 |
| 6 结论 | 第79-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |
| 致谢 | 第84-85页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第85页 |
