| 第一章 绪论 | 第1-19页 |
| ·引言 | 第7-11页 |
| ·ZnO 的基本性质 | 第11-12页 |
| ·ZnO 薄膜的应用 | 第12-15页 |
| ·ZnO 薄膜的生长方法 | 第15-19页 |
| 第二章 ZnO 薄膜生长的MOCVD 反应系统 | 第19-27页 |
| ·MOCVD 技术简介 | 第19-21页 |
| ·用于ZnO 薄膜生长的等离子增强MOCVD 反应系统 | 第21-25页 |
| ·MOCVD 生长ZnO 薄膜源材料的选择 | 第25-27页 |
| 第三章 ZnO 薄膜的MOCVD 法生长及相关特性的研究 | 第27-44页 |
| ·c-A1_2O_3衬底上ZnO 薄膜的生长和特性分析 | 第28-32页 |
| ·c-A1_2O_3 衬底上ZnO 薄膜的生长 | 第28-29页 |
| ·c-A1_2O_3衬底上ZnO 薄膜生长的优化 | 第29-32页 |
| ·锌源温度对薄膜生长的影响 | 第32-37页 |
| ·退火对ZnO 薄膜质量的影响 | 第37-39页 |
| ·R 面蓝宝石上的ZnO 薄膜生长 | 第39-44页 |
| ·R 面蓝宝石衬底上 ZnO 薄膜的生长温度优化 | 第40-41页 |
| ·R 面和C 面蓝宝石衬底上生长ZnO 薄膜发光特性比较 | 第41-42页 |
| ·(112 0)面ZnO 薄膜的退火研究 | 第42-44页 |
| 第四章 表面预处理对氧化锌薄膜质量的影响 | 第44-50页 |
| ·氮气气氛下射频处理 | 第44-46页 |
| ·氧气气氛下衬底表面预处理 | 第46-48页 |
| ·表面预处理对氧化锌薄膜电学特性的影响 | 第48-49页 |
| ·小结 | 第49-50页 |
| 第五章 硅衬底上氧化锌薄膜的生长 | 第50-67页 |
| ·利用MOCVD 方法在Si 衬底上生长氧化锌薄膜 | 第50-56页 |
| ·缓冲层对氧化锌薄膜生长质量的影响 | 第56-67页 |
| ·有缓冲层不同的生长温度下ZnO 薄膜质量的比较 | 第57-60页 |
| ·不同缓冲层厚度对氧化锌薄膜的影响 | 第60-64页 |
| ·优化条件下缓冲层对氧化锌薄膜质量的影响 | 第64-67页 |
| 第六章全文总结 | 第67-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 摘要 | 第73-75页 |
| Abstract | 第75-78页 |
| 致谢 | 第78-79页 |
| 导师及作者简介 | 第79页 |
