| 摘要 | 第1-6页 |
| 目录 | 第6-8页 |
| 第一章 综述 | 第8-21页 |
| 1．1 SiC MOS器件工艺 | 第8-13页 |
| 1．1．1 SiC材料的电学特性 | 第8-9页 |
| 1．1．2 MOS器件及工作原理 | 第9-12页 |
| 1．1．3 SiC MOS器件的特点 | 第12-13页 |
| 1．2 SiC工艺及其现状 | 第13-17页 |
| 1．2．1 SiC氧化工艺 | 第13-15页 |
| 1．2．2 其它相关工艺 | 第15-16页 |
| 1．2．3 研究进展 | 第16-17页 |
| 1．3 本论文的研究工作 | 第17-21页 |
| 第二章 热氧化SiO_2/SiC样品制备 | 第21-30页 |
| 2．1 高频 C-V测试原理 | 第21-25页 |
| 2．1．1 理想 MOS结构的 C-V特性 | 第21-23页 |
| 2．1．2 实际 MOS结构的 C-V特性 | 第23-25页 |
| 2．2 高频 C-V检测及分析 | 第25-26页 |
| 2．2．1 C-V测试仪器及样品制备 | 第25-26页 |
| 2．2．2 室温无光照条件下的 C-V检测结果 | 第26页 |
| 2．3 I-V特性分析 | 第26-28页 |
| 2．4 实验讨论 | 第28-30页 |
| 第三章 慢正电子湮灭多普勒展宽谱实验 | 第30-47页 |
| 3．1 正电子湮灭(PAT)技术 | 第30-38页 |
| 3．1．1 正电子湮灭原理 | 第30-31页 |
| 3．1．2 正电子湮灭技术的四种实验方法 | 第31-36页 |
| 3．1．3 慢正电子湮灭多普勒展宽谱 | 第36-38页 |
| 3．2 慢正电子多普勒展宽谱分析 | 第38-43页 |
| 3．2．1 实验设备及实验样品 | 第38-40页 |
| 3．2．2 n型 SiC样品测试结果 | 第40-41页 |
| 3．2．3 p型 SiC样品测试结果 | 第41-43页 |
| 3．2．4 Si样品测试结果 | 第43页 |
| 3．3 I-V测试结果 | 第43-45页 |
| 3．4 小结 | 第45-47页 |
| 第四章 红外反射光谱实验 | 第47-55页 |
| 4．1 红外光谱技术及应用 | 第47-49页 |
| 4．1．1 红外吸收光谱技术 | 第47-48页 |
| 4．1．2 红外反射光谱技术 | 第48-49页 |
| 4．2 红外反射光谱测试 | 第49-52页 |
| 4．2．1 测试条件及样品制备 | 第49页 |
| 4．2．2 SiO_2/Si的红外反射光谱 | 第49-50页 |
| 4．2．3 SiO_2/SiC的红外反射光谱 | 第50-52页 |
| 4．2．4 SiO_2/SiC红外反射光谱的退火特性 | 第52页 |
| 4．3 小结 | 第52-55页 |
| 总结 | 第55-57页 |
| 附录 | 第57-58页 |
| 声明 | 第58-59页 |
| 致谢 | 第59页 |