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自保护型SOI-LIGBT器件ESD可靠性研究

摘要第5-6页
Abstract第6页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 研究背景第9-14页
        1.1.1 SOI工艺简介第9-10页
        1.1.2 SOI-LIGBT器件的发展第10-14页
    1.2 自保护型SOI-LIGBT器件ESD可靠性问题及研究现状第14-18页
    1.3 论文研究内容及组织结构第18-21页
        1.3.1 论文研究内容第18-19页
        1.3.2 论文组织结构第19-21页
第二章 SOI-LIGBT器件原理及其ESD自保护可靠性研究平台第21-31页
    2.1 SOI-LIGBT器件原理第21-24页
        2.1.1 阈值电压第22页
        2.1.2 闩锁特性第22-23页
        2.1.3 关断特性第23页
        2.1.4 自保护型SOI-LIGBT器件工艺结构及电学参数第23-24页
    2.2 SOI-LIGBT器件ESD自保护可靠性研究测试平台第24-28页
        2.2.1 静电放电模式第24-26页
        2.2.2 传输线脉冲测试平台第26-28页
        2.2.3 直流参数测试平台第28页
    2.3 SOI-LIGBT器件ESD自保护可靠性研究仿真平台第28-30页
    2.4 本章小结第30-31页
第三章 自保护型SOI-LIGBT器件ESD鲁棒性研究第31-55页
    3.1 自保护型SOI-LIGBT器件的ESD响应特性分析第31-36页
        3.1.1 正向阻断区第32-34页
        3.1.2 电压回滞区第34页
        3.1.3 电压维持区第34-35页
        3.1.4 二次击穿区第35-36页
    3.2 不同抗闩锁结构对自保护型SOI-LIGBT器件ESD鲁棒性的影响第36-43页
        3.2.1 阴极N+/P+间隔结构对器件ESD可靠性的影响第36-39页
        3.2.2 P-body包鸟嘴结构对器件ESD可靠性的影响第39-40页
        3.2.3 阴极Trench结构对器件ESD可靠性的影响第40-41页
        3.2.4 栅Poly分段结构对器件ESD可靠性的影响第41-43页
    3.3 不同快关断结构对自保护型SOI-LIGBT器件ESD鲁棒性的影响第43-49页
        3.3.1 阳极短路结构对器件ESD可靠性的影响第43-45页
        3.3.2 分段阳极结构对器件ESD可靠性的影响第45-47页
        3.3.3 阳极P+/P-结构对器件ESD可靠性的影响第47-49页
    3.4 新型高ESD自保护鲁棒性的SOI-LIGBT器件研究第49-53页
        3.4.1 阴极N+辅助触发结构第49-51页
        3.4.2 分段N-buffer结构第51-53页
    3.5 本章小结第53-55页
第四章 不同重复ESD应力下自保护型SOI-LIGBT电学参数退化研究第55-67页
    4.1 ESD脉冲幅度对自保护型SOI-LIGBT电学参数退化的影响第55-58页
    4.2 ESD脉冲边沿速率对自保护型SOI-LIGBT电学参数退化的影响第58-60页
    4.3 ESD脉冲维持时间对自保护型SOI-LIGBT电学参数退化的影响第60-63页
    4.4 ESD脉冲冲击次数对自保护型SOI-LIGBT电学参数退化的影响第63-66页
    4.5 本章小结第66-67页
第五章 总结与展望第67-69页
    5.1 总结第67-68页
    5.2 展望第68-69页
致谢第69-71页
参考文献第71-75页
硕士期间取得成果第75页

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