| 摘要 | 第3-4页 |
| abstract | 第4页 |
| 第1章 引言 | 第7-25页 |
| 1.1 二维材料硫化钼简介 | 第7-18页 |
| 1.1.1 硫化钼的结构与性质 | 第7-10页 |
| 1.1.2 硫化钼的制备方法 | 第10-14页 |
| 1.1.3 硫化钼的应用 | 第14-18页 |
| 1.2 基于硫化钼反相器的结构和原理 | 第18-20页 |
| 1.2.1 基于硫化钼反相器的结构 | 第18-19页 |
| 1.2.2 基于硫化钼反相器的工作原理 | 第19-20页 |
| 1.3 基于硫化钼反相器的研究现状 | 第20-24页 |
| 1.4 本论文的研究内容 | 第24-25页 |
| 第2章 硫化钼薄膜的制备与表征 | 第25-33页 |
| 2.1 硫化钼薄膜制备 | 第25-27页 |
| 2.1.1 SiO_2衬底的准备 | 第25-26页 |
| 2.1.2 硫化钼薄膜的剥离和转移 | 第26-27页 |
| 2.2 硫化钼薄膜的表征 | 第27-32页 |
| 2.2.1 光学显微镜表征 | 第27-28页 |
| 2.2.2 拉曼表征 | 第28-30页 |
| 2.2.3 原子力显微镜(AFM)表征 | 第30-31页 |
| 2.2.4 光致发光(PL)谱表征 | 第31-32页 |
| 2.3 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 硫化钼场效应晶体管的制备及电学特性研究 | 第33-45页 |
| 3.1 背栅硫化钼晶体管(MoS_2-FET)制备 | 第33-36页 |
| 3.1.1 MoS_2-FET背栅晶体管制备工艺流程 | 第33页 |
| 3.1.2 MoS_2-FET源漏电极的设计 | 第33-36页 |
| 3.2 MoS_2-FET的电学性能测试 | 第36-41页 |
| 3.2.1 电学性能的测试设备 | 第36-37页 |
| 3.2.2 MoS_2-FET背栅晶体管的电学性能 | 第37-41页 |
| 3.3 低温下MoS_2-FET背栅晶体管电学性能研究 | 第41-44页 |
| 3.4 本章小结 | 第44-45页 |
| 第4章 互补反相器的制备及其性能研究 | 第45-59页 |
| 4.1 互补反相器的设计 | 第45-46页 |
| 4.2 互补反相器的制备工艺流程及表征 | 第46-48页 |
| 4.3 互补反相器的电学测试和分析 | 第48-55页 |
| 4.3.1 MoS_2-FET性能测试与分析 | 第49-50页 |
| 4.3.2 SWCNT-FET性能测试与分析 | 第50-52页 |
| 4.3.3 互补反相器的基本性能 | 第52-55页 |
| 4.4 器件尺寸对反相器性能的影响研究 | 第55-58页 |
| 4.4.1 p沟道不同宽长比对反相器的影响(W/L)n=1 | 第55-56页 |
| 4.4.2 n沟道不同宽长比对反相器的影响(W/L)p=10 | 第56-58页 |
| 4.5 本章小结 | 第58-59页 |
| 第5章 工作总结与展望 | 第59-61页 |
| 5.1 论文工作总结 | 第59页 |
| 5.2 创新点 | 第59-60页 |
| 5.3 下一步研究展望 | 第60-61页 |
| 参考文献 | 第61-66页 |
| 致谢 | 第66-68页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第68页 |
