| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第10-40页 |
| 1.1 研究背景与意义 | 第10-11页 |
| 1.2 ZnO基材料的基本性质 | 第11-14页 |
| 1.3 ZnO材料研究进展 | 第14-38页 |
| 1.3.1 ZnO光泵浦紫外激光 | 第14-27页 |
| 1.3.2 ZnO材料电泵浦激光器件研究进展 | 第27-35页 |
| 1.3.3 ZnO电致发光器件研究进展 | 第35-38页 |
| 1.4 本论文选题依据和研究内容 | 第38-40页 |
| 第2章 ZnO材料制备方法以及表征手段 | 第40-52页 |
| 2.1 引言 | 第40页 |
| 2.2 材料制备方法 | 第40-46页 |
| 2.2.1 磁控溅射 | 第40-42页 |
| 2.2.2 化学气相沉积 | 第42-43页 |
| 2.2.3 水热法 | 第43页 |
| 2.2.4 电化学沉积法 | 第43-44页 |
| 2.2.5 金属有机物化学气相沉积 | 第44-45页 |
| 2.2.6 分子束外延技术 | 第45-46页 |
| 2.3 材料表征方法 | 第46-50页 |
| 2.3.1 X射线衍射 | 第46-47页 |
| 2.3.2 扫描电子显微镜 | 第47-48页 |
| 2.3.3 透射电子显微镜 | 第48-49页 |
| 2.3.4 微区光致发光谱 | 第49-50页 |
| 2.4 本章小结 | 第50-52页 |
| 第3章 基于单根Ga掺杂ZnO微米线发光研究 | 第52-82页 |
| 3.1 引言 | 第52-53页 |
| 3.2 低掺杂浓度ZnO可见光区的电致发光器件 | 第53-68页 |
| 3.2.1 截面为六边形Ga掺杂ZnO微米线可控生长 | 第53页 |
| 3.2.2 Ga掺杂ZnO微米线的表征 | 第53-57页 |
| 3.2.3 单根Ga掺杂ZnO微米线在可见光区的电致发光研究 | 第57-58页 |
| 3.2.4 单根Ga掺杂ZnO微米线电致发光的物理机制 | 第58-68页 |
| 3.3 Ga重掺杂ZnO近红外光区电致发光器件 | 第68-79页 |
| 3.3.1 Ga重掺杂ZnO微米线合成 | 第68-69页 |
| 3.3.2 Ga重掺杂ZnO微米线表征 | 第69-73页 |
| 3.3.3 单根Ga重掺杂ZnO微米线的近红外电致发光及机理 | 第73-79页 |
| 3.4 小结 | 第79-82页 |
| 第4章 Au等离子体调制单根Ga掺杂ZnO微米线发光研究 | 第82-94页 |
| 4.1 引言 | 第82-83页 |
| 4.2 金属纳米粒子等离激元 | 第83-84页 |
| 4.3 金属纳米颗粒修饰的Ga掺杂微米线与未修饰微米线发光器件 | 第84-87页 |
| 4.3.1 Au纳米颗粒对微米线的修饰 | 第84-85页 |
| 4.3.2 金属纳米颗粒修饰前后发光器件对比 | 第85-87页 |
| 4.4 阵列可控的阵列式发光 | 第87-89页 |
| 4.5 不同尺度金属纳米颗粒与不同电压下阵列器件的电致发光研究 | 第89-92页 |
| 4.6 本章小结 | 第92-94页 |
| 第5章 基于p-ZnO微米线与n-ZnO薄膜同质结发光研究 | 第94-110页 |
| 5.1 引言 | 第94-95页 |
| 5.2 截面为四边形Sb掺杂p-ZnO微米线的合成 | 第95-101页 |
| 5.2.1 ZnO籽晶层制备 | 第95页 |
| 5.2.2 Sb掺杂四边形ZnO微米线的生长 | 第95-96页 |
| 5.2.3 Sb掺杂四边形ZnO微米线的形貌以及光电性质研究 | 第96-101页 |
| 5.3 基于单根Sb掺杂微米线的电致发光器件研究 | 第101-103页 |
| 5.4 p型Sb掺杂ZnO微米线与n型ZnO薄膜的p-n结发光器件研究 | 第103-108页 |
| 5.4.1 n型ZnO薄膜制备 | 第103页 |
| 5.4.2 n型ZnO薄膜表征以及电学测试 | 第103-105页 |
| 5.4.3 基于p型Sb掺杂ZnO微米线与n-ZnO薄膜同质结发光器件 | 第105-108页 |
| 5.5 小结 | 第108-110页 |
| 第6章 总结与展望 | 第110-112页 |
| 6.1 总结 | 第110页 |
| 6.2 展望 | 第110-112页 |
| 参考文献 | 第112-120页 |
| 致谢 | 第120-122页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第122-123页 |
