摘要 | 第5-7页 |
abstract | 第7-9页 |
第1章 绪论 | 第17-39页 |
1.1 半导体激光器的研究进展 | 第17-24页 |
1.1.1 高功率半导体激光器 | 第18-20页 |
1.1.2 高效率半导体激光器 | 第20-22页 |
1.1.3 窄线宽半导体激光器 | 第22-24页 |
1.2 分布反馈半导体激光器 | 第24-30页 |
1.2.1 折射率耦合分布反馈半导体激光器 | 第26-29页 |
1.2.2 增益耦合分布反馈半导体激光器 | 第29-30页 |
1.3 增益耦合分布反馈半导体激光器的研究进展 | 第30-36页 |
1.3.1 国外增益耦合分布反馈半导体激光器的研究进展 | 第30-35页 |
1.3.2 国内增益耦合分布反馈半导体激光器的研究进展 | 第35-36页 |
1.4 本论文的研究目的与研究内容 | 第36-39页 |
第2章 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器的原理 | 第39-65页 |
2.1 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器的基本性质 | 第39-57页 |
2.1.1 工作物质 | 第39-42页 |
2.1.2 速率方程及功率特征 | 第42-47页 |
2.1.3 波动方程及模式特征 | 第47-55页 |
2.1.4 线宽特征 | 第55-57页 |
2.2 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器的理论分析 | 第57-63页 |
2.2.1 耦合波理论 | 第57-60页 |
2.2.2 传输矩阵法 | 第60页 |
2.2.3 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器的物理模型 | 第60-63页 |
2.3 本章小结 | 第63-65页 |
第3章 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器的制备 | 第65-85页 |
3.1 半导体激光器芯片的外延生长技术 | 第65-67页 |
3.2 光刻技术 | 第67-72页 |
3.3 刻蚀技术 | 第72-78页 |
3.3.1 湿法刻蚀技术 | 第72-74页 |
3.3.2 干法刻蚀技术 | 第74-78页 |
3.4 介质薄膜生长技术 | 第78-79页 |
3.5 欧姆电极制备技术 | 第79-81页 |
3.6 腔面薄膜生长技术 | 第81-82页 |
3.7 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器的制备 | 第82-84页 |
3.8 本章小结 | 第84-85页 |
第4章 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器 | 第85-103页 |
4.1 引言 | 第85页 |
4.2 周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器 | 第85-93页 |
4.2.1 器件结构与设计 | 第85-89页 |
4.2.2 器件的制备过程 | 第89-90页 |
4.2.3 测试结果与分析 | 第90-93页 |
4.3 改进型周期性电注入增益耦合分布反馈半导体激光器 | 第93-100页 |
4.3.1 器件结构与制备过程 | 第93-95页 |
4.3.2 模拟仿真与分析 | 第95-98页 |
4.3.3 测试结果与分析 | 第98-100页 |
4.4 本章小结 | 第100-103页 |
第5章 纯增益耦合分布反馈半导体激光器 | 第103-113页 |
5.1 引言 | 第103-104页 |
5.2 器件结构与制备过程 | 第104-105页 |
5.3 模拟仿真与分析 | 第105-109页 |
5.4 器件测试结果与分析 | 第109-112页 |
5.5 本章小结 | 第112-113页 |
第6章 两段式增益耦合分布反馈半导体激光器 | 第113-123页 |
6.1 引言 | 第113-114页 |
6.2 器件结构与制备过程 | 第114-116页 |
6.3 器件测试结果与分析 | 第116-122页 |
6.4 本章小结 | 第122-123页 |
第7章 结论与展望 | 第123-125页 |
7.1 结论 | 第123-124页 |
7.2 研究展望 | 第124-125页 |
参考文献 | 第125-135页 |
致谢 | 第135-137页 |
作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第137-138页 |