| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 紫外探测技术介绍 | 第11-12页 |
| 1.2 紫外光电探测器的分类、基本原理和性能指标 | 第12-21页 |
| 1.2.1 紫外光电探测器 | 第13-14页 |
| 1.2.2 半导体紫外光电探测器的基本原理和分类 | 第14-16页 |
| 1.2.3 半导体紫外光电探测器的性能指标 | 第16-21页 |
| 1.3 氧化锌基材料及其在紫外探测器方向的研究进展 | 第21-33页 |
| 1.3.1 宽禁带半导体材料介绍 | 第21-25页 |
| 1.3.2 ZnO基紫外探测器的研究现状 | 第25-32页 |
| 1.3.3 ZnO基紫外探测器存在的问题 | 第32-33页 |
| 1.4 论文选题依据和研究内容 | 第33-35页 |
| 第2章 Zn_xMg_(1-x)O材料及紫外探测器的制备与表征方法简介 | 第35-49页 |
| 2.1 Zn_xMg_(1-x)O材料的制备方法 | 第35-41页 |
| 2.1.1 薄膜外延技术 | 第35-37页 |
| 2.1.2 分子束外延技术 | 第37-41页 |
| 2.2 光电探测器件制备 | 第41-45页 |
| 2.2.1 制备工艺介绍 | 第41-44页 |
| 2.2.2 光电探测器件的制备流程 | 第44-45页 |
| 2.3 薄膜材料与光电探测器件的表征方法 | 第45-47页 |
| 2.3.1 薄膜材料的主要表征方法 | 第45页 |
| 2.3.2 光电探测器件的表征方法 | 第45-47页 |
| 2.4 本章小结 | 第47-49页 |
| 第3章 ZnO薄膜及其光电探测器的研究 | 第49-69页 |
| 3.1 高质量ZnO薄膜的制备与性能表征 | 第49-53页 |
| 3.2 ZnMgO薄膜的外延生长与性能表征 | 第53-61页 |
| 3.3 ZnMgO紫外探测器的制备与性能测试 | 第61-64页 |
| 3.4 高性能ZnMgO器件的封装 | 第64-66页 |
| 3.5 本章小结 | 第66-69页 |
| 第4章 Ag纳米颗粒覆盖ZnO薄膜的制备与光学特性研究 | 第69-91页 |
| 4.1 金属表面等离子体介绍 | 第70-82页 |
| 4.1.1 表面等离极化激元介绍 | 第70-73页 |
| 4.1.2 金属表面等离极化激元的新效应与应用 | 第73-76页 |
| 4.1.3 高阶共振模式的Ag表面等离子体极化激元的理论基础 | 第76-82页 |
| 4.2 Ag覆盖的ZnO薄膜的制备与性能研究 | 第82-90页 |
| 4.2.1 具有高阶共振模式的Ag纳米颗粒的制备 | 第82-85页 |
| 4.2.2 Ag覆盖的ZnO薄膜的性能研究 | 第85-90页 |
| 4.3 本章小结 | 第90-91页 |
| 第5章 具有高度波长选择性的增强型ZnO紫外探测器的制备 | 第91-103页 |
| 5.1 提高器件光谱选择性的方法 | 第91-94页 |
| 5.2 Ag/ZnO复合型紫外探测器的制备与性能表征 | 第94-98页 |
| 5.3 Ag/ZnO复合型紫外探测器的增强原理 | 第98-101页 |
| 5.4 本章小结 | 第101-103页 |
| 第6章 总结与展望 | 第103-107页 |
| 6.1 成果总结 | 第103-104页 |
| 6.2 研究展望 | 第104-107页 |
| 参考文献 | 第107-115页 |
| 致谢 | 第115-117页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第117页 |
