| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第16-40页 |
| 1.1 国内外研究现状与进展 | 第16-34页 |
| 1.1.1 片内ESD保护的研究 | 第16-28页 |
| 1.1.2 片外ESD器件研究 | 第28-29页 |
| 1.1.3 ESD防护环境研究 | 第29-30页 |
| 1.1.4 三种ESD防护方法优缺点和适用范围研究 | 第30-32页 |
| 1.1.5 ESD研究面临的挑战 | 第32-34页 |
| 1.2 论文主要内容与结构 | 第34-38页 |
| 1.2.1 论文的主要研究内容 | 第34-37页 |
| 1.2.2 各章的内容安排 | 第37-38页 |
| 1.3 本章小结 | 第38-40页 |
| 第2章 片内高压ESD保护器件研究 | 第40-82页 |
| 2.1 片内高压ESD防护器件的工作机制 | 第40-42页 |
| 2.2 高压ESD器件的测试 | 第42-47页 |
| 2.3 多指n LDMOS器件研究 | 第47-51页 |
| 2.3.1 器件结构 | 第48页 |
| 2.3.2 测试结果与分析 | 第48-51页 |
| 2.4 高压SCR ESD保护器件研究 | 第51-56页 |
| 2.4.1 器件结构 | 第51-52页 |
| 2.4.2 测试结果与分析 | 第52-56页 |
| 2.5 DDSCR器件研究 | 第56-68页 |
| 2.5.1 DDSCR器件结构 | 第56-57页 |
| 2.5.2 LDMOS SCR ESD器件建模与分析 | 第57-66页 |
| 2.5.3 测试结果与分析 | 第66-68页 |
| 2.6 新型片内高压ESD保护器件 | 第68-80页 |
| 2.6.1 器件Ag/MoSe_2/Au制备与研究 | 第70-76页 |
| 2.6.2 新型片内高压ESD保护器件设计 | 第76-78页 |
| 2.6.3 分析计算 | 第78-80页 |
| 2.7 本章小结 | 第80-82页 |
| 第3章片外压敏陶瓷ESD器件研究 | 第82-100页 |
| 3.1 Zn O压敏ESD器件特性分析 | 第82-84页 |
| 3.2 新型防冲击老化压敏ESD器件 | 第84-92页 |
| 3.2.1 Pr_(0.9)Ca_(0.1)MnO_3陶瓷制备与研究 | 第84-90页 |
| 3.2.2 PCMO压敏ESD器件设计 | 第90-91页 |
| 3.2.3 防冲击老化的理论分析 | 第91-92页 |
| 3.3 新型防寄生电容干扰压敏ESD器件 | 第92-98页 |
| 3.3.1 器件Ag/ BiMnO_(3+δ)/Ag制备与研究 | 第93-97页 |
| 3.3.2 BiMnO压敏ESD器件设计 | 第97页 |
| 3.3.3 理论分析与仿真 | 第97-98页 |
| 3.4 本章节小结 | 第98-100页 |
| 第4章 防静电材料Cu_2S及其特性研究 | 第100-109页 |
| 4.1 静电防护材料Cu_2S的制备 | 第100-102页 |
| 4.2 Cu_2S的物理电学特性研究 | 第102-103页 |
| 4.3 Cu_2S的载流子输运机制研究 | 第103-106页 |
| 4.4 Cu_2S防静电指示功能 | 第106-108页 |
| 4.5 本章节小结 | 第108-109页 |
| 第5章 结论 | 第109-111页 |
| 5.1 总结 | 第109-110页 |
| 5.2 创新点 | 第110页 |
| 5.3 未来工作展望 | 第110-111页 |
| 参考文献 | 第111-121页 |
| 致谢 | 第121-122页 |
| 附录A 攻读学位期间所发表的学术论文 | 第122-123页 |
| 附录B 攻读博士学位期间获得／参与的科研项目 | 第123页 |
