| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-22页 |
| 1.1 GaN基器件研究意义 | 第16-17页 |
| 1.2 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件研究进展 | 第17-19页 |
| 1.3 高κ栅介质的AlGaN/GaN MOS-HEMT研究意义 | 第19-20页 |
| 1.4 本文主要研究内容 | 第20-22页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT基本原理 | 第22-34页 |
| 2.1 AlGaN/GaN异质结材料的极化效应 | 第22-26页 |
| 2.1.1 异质结的极化效应 | 第22-24页 |
| 2.1.2 二维电子气的影响因素 | 第24-26页 |
| 2.2 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件结构和原理 | 第26-29页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件的基本结构 | 第26页 |
| 2.2.2 叠层栅结构的优势 | 第26-28页 |
| 2.2.3 AlGaN/GaN MOS-HEMT的工作机理 | 第28-29页 |
| 2.3 AlGaN/GaN MOS-HEMT器件制备工艺 | 第29-32页 |
| 2.3.1 栅介质材料选择 | 第29-30页 |
| 2.3.2 原子淀积技术及器件制备过程 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-34页 |
| 第三章 MOS-HEMT仿真基础及模型 | 第34-42页 |
| 3.1 器件仿真基础 | 第34-36页 |
| 3.1.1 仿真软件的发展 | 第34-35页 |
| 3.1.2 ISE-TCAD仿真软件概论 | 第35-36页 |
| 3.2 器件基本仿真模型 | 第36-39页 |
| 3.2.1 扩散漂移模型 | 第36-38页 |
| 3.2.2 载流子迁移率模型 | 第38-39页 |
| 3.3 HEMT器件的仿真结构及参数设置 | 第39-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT仿真 | 第42-66页 |
| 4.1 MOS-HEMT器件基本特性模拟 | 第42-47页 |
| 4.1.1 栅介质对HEMT器件的影响 | 第42-44页 |
| 4.1.2 MOS-HEMT器件输出特性仿真 | 第44-46页 |
| 4.1.3 转移特性和跨导 | 第46-47页 |
| 4.2 影响HEMT器件直流特性的因素 | 第47-52页 |
| 4.2.1 AlGaN势垒层的掺杂浓度 | 第47-49页 |
| 4.2.2 不同Al组分对器件特性的影响 | 第49-52页 |
| 4.3 高κ叠栅AlGaN/GaN MOS-HEMT器件直流特性研究 | 第52-58页 |
| 4.3.1 不同栅介质层厚度对器件特性的影响 | 第52-54页 |
| 4.3.2 不同栅介质材料的MOS-HEMT仿真 | 第54-56页 |
| 4.3.3 高κ叠栅MOS-HEMT器件特性研究 | 第56-58页 |
| 4.4 偏栅结构AlGaN/GaN MOS-HEMT器件直流特性研究 | 第58-63页 |
| 4.4.1 偏栅器件基本原理 | 第58-59页 |
| 4.4.2 器件沟道中基本特性仿真 | 第59-62页 |
| 4.4.3 偏栅器件直流特性仿真 | 第62-63页 |
| 4.5 本章小结 | 第63-66页 |
| 第五章 总结与展望 | 第66-68页 |
| 5.1 总结 | 第66页 |
| 5.2 展望 | 第66-68页 |
| 参考文献 | 第68-72页 |
| 致谢 | 第72-74页 |
| 作者简介 | 第74-75页 |
| 1.基本情况 | 第74页 |
| 2.教育背景 | 第74页 |
| 3.攻读硕士学位期间的研究成果 | 第74-75页 |
