| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章：引言 | 第6-18页 |
| 1.1 功率半导体器件的发展 | 第6-8页 |
| 1.2 功率半导体器件的分类 | 第8-9页 |
| 1.3 功率半导体器件的应用 | 第9-11页 |
| 1.4 功率半导体器件与微电子半导体器件的结合 | 第11-12页 |
| 1.5 功率MOSFET的发展 | 第12-16页 |
| 1.5.1 横向双扩散MOS场效应管 | 第12-14页 |
| 1.5.2 垂直V型槽MOS场效应管 | 第14-15页 |
| 1.5.3 垂直U型槽MOS场效应管 | 第15-16页 |
| 1.5.4 垂直双扩散MOS场效应管 | 第16页 |
| 1.6 本文的研究内容与架构 | 第16-18页 |
| 第二章：LDMOS的工艺流程 | 第18-27页 |
| 2.1 有源区和隔离区的形成 | 第18-20页 |
| 2.2 高低压阱区的形成 | 第20-21页 |
| 2.3 栅氧化层的形成 | 第21-23页 |
| 2.4 栅极的形成 | 第23-24页 |
| 2.5 源漏极的形成 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-27页 |
| 第三章：LDMOS的栅氧化层完整性提升 | 第27-39页 |
| 3.1 栅氧化层的击穿机理 | 第27-28页 |
| 3.1.1 栅氧化层的本征击穿 | 第27-28页 |
| 3.1.2 栅氧化层的非本征击穿 | 第28页 |
| 3.2 栅氧化层完整性的测试方法 | 第28-31页 |
| 3.2.1 经时击穿测试 | 第28-29页 |
| 3.2.2 斜坡测试 | 第29-31页 |
| 3.3 LDMOS栅氧化层击穿的特殊影响因素 | 第31-34页 |
| 3.3.1 多晶硅栅的孔洞对LDMOS栅氧化层的影响 | 第31-32页 |
| 3.3.2 厚的栅氧化层生长缺陷引发的击穿 | 第32-34页 |
| 3.4 改善LDMOS的GOI特性实验设计及结果 | 第34-37页 |
| 3.4.1 多晶硅栅缺陷的工艺改善实验 | 第34页 |
| 3.4.2 改善STI的形貌 | 第34-37页 |
| 3.5 本章小结 | 第37-39页 |
| 第四章：MOS之间的隔离 | 第39-48页 |
| 4.1 LDMOS之间的隔离 | 第39-45页 |
| 4.1.1 同型LDMOS之间隔离失效的原因及解决方法 | 第39-43页 |
| 4.1.2 异型LDMOS之间隔离失效的原因及解决方法 | 第43-45页 |
| 4.2 LDMOS与中低压MOS之间的隔离 | 第45-46页 |
| 4.2.1 LDMOS与中低压MOS之间隔离失效的原因 | 第46页 |
| 4.2.2 解决LDMOS与中低压MOS之间隔离失效的方法 | 第46页 |
| 4.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第五章：总结 | 第48-49页 |
| 参考文献 | 第49-51页 |
| 致谢 | 第51-52页 |
