| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 微电子封装与焊料概述 | 第10-12页 |
| 1.2 活性焊接的研究现状 | 第12-15页 |
| 1.2.1 中高温活性焊接 | 第12-13页 |
| 1.2.2 低温活性焊接 | 第13-14页 |
| 1.2.3 活性焊接机理 | 第14-15页 |
| 1.3 GaAs材料在微电子技术中的应用 | 第15-16页 |
| 1.4 研究意义与内容 | 第16-18页 |
| 第二章 实验材料与研究方法 | 第18-26页 |
| 2.1 引言 | 第18页 |
| 2.2 实验材料 | 第18-20页 |
| 2.2.1 活性焊料 | 第18-20页 |
| 2.2.2 GaAs基板 | 第20页 |
| 2.3 研究方法与路线 | 第20-21页 |
| 2.4 实验方法 | 第21-23页 |
| 2.4.1 基板的焊接 | 第21-22页 |
| 2.4.2 金相制备方法 | 第22-23页 |
| 2.5 分析方法 | 第23-25页 |
| 2.5.1 扫描电镜观察和分析 | 第23-24页 |
| 2.5.2 X射线衍射观察和分析 | 第24页 |
| 2.5.3 透射电镜观察和分析 | 第24页 |
| 2.5.4 剪切强度测试 | 第24-25页 |
| 2.6 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与GaAs基板低温焊接的界面结构和力学性能 | 第26-40页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 界面微观结构 | 第26-28页 |
| 3.3 界面元素分布 | 第28-33页 |
| 3.4 界面反应生成物分析 | 第33-34页 |
| 3.5 低温活性焊接过程 | 第34-35页 |
| 3.6 力学性能测试 | 第35-38页 |
| 3.7 本章小结 | 第38-40页 |
| 第四章 活性焊料Sn3.5Ag4Ti(Ce,Ga)与GaAs基板的低温焊接机理 | 第40-51页 |
| 4.1 引言 | 第40页 |
| 4.2 Ti元素由焊料到固-液面的扩散过程分析 | 第40-42页 |
| 4.3 GaAs基板对Ti元素的吸附过程分析 | 第42-46页 |
| 4.4 GaAs与Ti的界面反应热力学分析 | 第46-49页 |
| 4.5 力学性能分析 | 第49-50页 |
| 4.6 本章小结 | 第50-51页 |
| 结论与展望 | 第51-53页 |
| 参考文献 | 第53-56页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第56-57页 |
| 致谢 | 第57-58页 |
| 附件 | 第58页 |