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28nm低功耗移动基带芯片的IR Drop分析与优化

摘要第5-6页
ABSTRACT第6-7页
符号对照表第11-12页
缩略语对照表第12-16页
第一章 绪论第16-20页
    1.1 课题的研究背景与研究意义第16-17页
    1.2 国内外研究现状第17-18页
    1.3 本文的主要工作和内容第18-20页
第二章 低功耗设计理论及IR Drop理论基础第20-32页
    2.1 静态功耗与动态功耗第20-23页
        2.1.1 静态功耗第20-21页
        2.1.2 动态功耗第21-23页
    2.2 数字集成电路中的低功耗设计方法第23-27页
        2.2.1 低供电电压设计第24页
        2.2.2 多供电电压设计第24-25页
        2.2.3 多阈值电压标准单元库第25页
        2.2.4 电源关断(Power Switch OFF)技术第25-27页
        2.2.5 门控时钟(Clock Gating)第27页
    2.3 统一功耗格式(UPF,Unified Power Format)第27-28页
    2.4 SOC中电压降(IR Drop)的产生与影响第28-30页
        2.4.1 SOC中的电源网络第28-29页
        2.4.2 电压降(IR Drop)的产生第29页
        2.4.3 电压降(IR Drop)的影响第29-30页
        2.4.4 动静态IR Drop的理论估算第30页
    2.5 本章小结第30-32页
第三章 基于低功耗设计的移动基带芯片的IR Drop分析第32-56页
    3.1 28nm工艺下基于低功耗设计的电源网络的物理实现第32-39页
        3.1.1 芯片顶层的Bump Routing第33-34页
        3.1.2 模块内物理电压域的划分第34-35页
        3.1.3 电源轨(Power Rail)的实现第35-36页
        3.1.4 电源条(Power Strap)的实现第36-37页
        3.1.5 电源开关单元(Power Switch Cell)的插入第37-38页
        3.1.6 Power Strap与顶层Bump Routing的连接第38-39页
    3.2 静态电压降分析及分析流程第39-49页
        3.2.1 输入文件准备第40-41页
        3.2.2 功耗计算第41-44页
        3.2.3 电源网格的电阻提取第44页
        3.2.4 检查电源/地网络的缺陷第44-45页
        3.2.5 定义PAD和Package参数第45页
        3.2.6 静态电压降分析第45-49页
    3.3 动态电压降分析与分析流程第49-54页
        3.3.1 数据准备第49-50页
        3.3.2 功耗计算第50页
        3.3.3 抽取电阻网络与定义封装参数第50-51页
        3.3.4 动态电压降分析第51-54页
    3.4 本章小结第54-56页
第四章 移动基带芯片的IR Drop结果分析与优化第56-82页
    4.1 移动基带芯片的IR Drop结果分析第56-68页
        4.1.1 全芯片的IR Drop分布结果及分析第56-60页
        4.1.2 GPU模块的IR Drop结果分析第60-68页
    4.2 移动基带芯片的IR Drop优化第68-78页
        4.2.1 顶层Bump Routing及通孔连接的优化第69-70页
        4.2.2 M6 Power Mesh的优化第70-72页
        4.2.3 M5/M3 Power Mesh的优化第72-74页
        4.2.4 M4 Power Mesh的优化第74-78页
    4.3 动态电压降的优化第78-80页
        4.3.1 逻辑门的优化第78-79页
        4.3.2 Decap电容的插入第79-80页
    4.4 本章小结第80-82页
第五章 总结与展望第82-84页
参考文献第84-86页
致谢第86-88页
作者简介第88-89页

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