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微波环行器用低维铁氧体的制备及性能研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第12-34页
    1.1 研究背景及意义第12-16页
        1.1.1 环行器的插入损耗与铁氧体铁磁共振线宽第13-14页
        1.1.2 环行器的工作频率与铁氧体磁特性第14-15页
        1.1.3 环行器的自偏置特性与铁氧体剩磁特性第15-16页
    1.2 微波环行器用高性能微波铁氧体的基本概念第16-28页
        1.2.1 铁氧体晶体结构第16-19页
        1.2.3 铁磁共振线宽第19-26页
        1.2.4 磁各向异性第26-28页
    1.3 研究现状第28-33页
        1.3.1 铁氧体薄膜的研究现状第29-32页
        1.3.2 铁氧体纳米线及纳米点阵列的研究现状第32-33页
    1.4 研究内容与研究线路第33-34页
第二章 实验方法及表征方法第34-52页
    2.1 铁氧体薄膜的制备方法及生长机理第34-39页
        2.1.1 PLD法特点第35页
        2.1.2 薄膜生长的动力学理论第35-38页
        2.1.3 实验参数第38-39页
    2.2 铁氧体纳米线阵列的制备方法第39-43页
    2.3 铁氧体纳米点阵的制备方法第43-45页
    2.4 样品的表征及分析方法第45-52页
        2.4.1 基于X射线衍射技术测试第45-47页
        2.4.2 一阶反转曲线测试第47-50页
        2.4.3 铁磁共振线宽测试第50-51页
        2.4.4 其它一些分析方法第51-52页
第三章BaM铁氧体薄膜的制备以及性能的调控第52-111页
    3.1 BaM靶材的制备用两步烧结法第52-57页
    3.2 Al_2O_3 基底上高磁性能BaM薄膜的制备第57-88页
        3.2.1 沉积参数与薄膜微观性能的关联问题第57-71页
        3.2.2 薄膜微观性能与磁性能的关联问题第71-76页
        3.2.3 基于缓冲层技术对薄膜磁性能的调控第76-86页
        3.2.4 薄膜的FORC测试分析第86-88页
    3.3 MgO基底上制备高磁性能BaM薄膜第88-102页
    3.4 Si基底上高磁性能BaM薄膜的制备第102-107页
    3.5 三种基底上BaM薄膜的磁性能对比分析第107-109页
    3.6 本章小结第109-111页
第四章YIG薄膜的制备及铁磁共振线宽的调控研究第111-126页
    4.1 YIG靶材的制备用两步烧结法第111-113页
    4.2 Si基片上亚微米级厚度YIG薄膜的制备第113-120页
    4.3 GGG基片上亚微米级厚度YIG薄膜的制备第120-125页
    4.4 本章小结第125-126页
第五章 多孔硅模板制备铁氧体纳米线阵列及其性能研究第126-140页
    5.1 多孔硅的制备第126-135页
        5.1.1 无电沉积Cu颗粒法第126-129页
        5.1.2 自组装Au点阵法第129-135页
    5.2 BaM铁氧体纳米线阵列的制备及磁性能研究第135-137页
    5.3 CoFe_2O_4 纳米线阵列的制备及磁性能研究第137-139页
    5.4 本章小结第139-140页
第六章 超薄氧化铝模板法制备铁氧体纳米点阵及性能研究第140-154页
    6.1 YIG点阵的制备及性能研究第140-146页
        6.1.1 Si基底上YIG点阵的制备及性能研究第140-144页
        6.1.2 GGG基底上YIG点阵的制备及性能研究第144-146页
    6.2 BaM点阵的制备及性能研究第146-152页
        6.2.1 Si基底上BaM点阵的制备及性能研究第146-149页
        6.2.2 Al_2O_3 基底上BaM点阵的制备及性能研究第149-152页
    6.3 本章小结第152-154页
第七章 全文总结与展望第154-157页
    7.1 本论文主要结论第154-156页
    7.2 本论文主要创新点第156页
    7.3 后续工作展望第156-157页
致谢第157-158页
参考文献第158-169页
攻读博士学位期间取得的成果第169-170页

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