摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-9页 |
第一章 绪论 | 第12-34页 |
1.1 研究背景及意义 | 第12-16页 |
1.1.1 环行器的插入损耗与铁氧体铁磁共振线宽 | 第13-14页 |
1.1.2 环行器的工作频率与铁氧体磁特性 | 第14-15页 |
1.1.3 环行器的自偏置特性与铁氧体剩磁特性 | 第15-16页 |
1.2 微波环行器用高性能微波铁氧体的基本概念 | 第16-28页 |
1.2.1 铁氧体晶体结构 | 第16-19页 |
1.2.3 铁磁共振线宽 | 第19-26页 |
1.2.4 磁各向异性 | 第26-28页 |
1.3 研究现状 | 第28-33页 |
1.3.1 铁氧体薄膜的研究现状 | 第29-32页 |
1.3.2 铁氧体纳米线及纳米点阵列的研究现状 | 第32-33页 |
1.4 研究内容与研究线路 | 第33-34页 |
第二章 实验方法及表征方法 | 第34-52页 |
2.1 铁氧体薄膜的制备方法及生长机理 | 第34-39页 |
2.1.1 PLD法特点 | 第35页 |
2.1.2 薄膜生长的动力学理论 | 第35-38页 |
2.1.3 实验参数 | 第38-39页 |
2.2 铁氧体纳米线阵列的制备方法 | 第39-43页 |
2.3 铁氧体纳米点阵的制备方法 | 第43-45页 |
2.4 样品的表征及分析方法 | 第45-52页 |
2.4.1 基于X射线衍射技术测试 | 第45-47页 |
2.4.2 一阶反转曲线测试 | 第47-50页 |
2.4.3 铁磁共振线宽测试 | 第50-51页 |
2.4.4 其它一些分析方法 | 第51-52页 |
第三章BaM铁氧体薄膜的制备以及性能的调控 | 第52-111页 |
3.1 BaM靶材的制备用两步烧结法 | 第52-57页 |
3.2 Al_2O_3 基底上高磁性能BaM薄膜的制备 | 第57-88页 |
3.2.1 沉积参数与薄膜微观性能的关联问题 | 第57-71页 |
3.2.2 薄膜微观性能与磁性能的关联问题 | 第71-76页 |
3.2.3 基于缓冲层技术对薄膜磁性能的调控 | 第76-86页 |
3.2.4 薄膜的FORC测试分析 | 第86-88页 |
3.3 MgO基底上制备高磁性能BaM薄膜 | 第88-102页 |
3.4 Si基底上高磁性能BaM薄膜的制备 | 第102-107页 |
3.5 三种基底上BaM薄膜的磁性能对比分析 | 第107-109页 |
3.6 本章小结 | 第109-111页 |
第四章YIG薄膜的制备及铁磁共振线宽的调控研究 | 第111-126页 |
4.1 YIG靶材的制备用两步烧结法 | 第111-113页 |
4.2 Si基片上亚微米级厚度YIG薄膜的制备 | 第113-120页 |
4.3 GGG基片上亚微米级厚度YIG薄膜的制备 | 第120-125页 |
4.4 本章小结 | 第125-126页 |
第五章 多孔硅模板制备铁氧体纳米线阵列及其性能研究 | 第126-140页 |
5.1 多孔硅的制备 | 第126-135页 |
5.1.1 无电沉积Cu颗粒法 | 第126-129页 |
5.1.2 自组装Au点阵法 | 第129-135页 |
5.2 BaM铁氧体纳米线阵列的制备及磁性能研究 | 第135-137页 |
5.3 CoFe_2O_4 纳米线阵列的制备及磁性能研究 | 第137-139页 |
5.4 本章小结 | 第139-140页 |
第六章 超薄氧化铝模板法制备铁氧体纳米点阵及性能研究 | 第140-154页 |
6.1 YIG点阵的制备及性能研究 | 第140-146页 |
6.1.1 Si基底上YIG点阵的制备及性能研究 | 第140-144页 |
6.1.2 GGG基底上YIG点阵的制备及性能研究 | 第144-146页 |
6.2 BaM点阵的制备及性能研究 | 第146-152页 |
6.2.1 Si基底上BaM点阵的制备及性能研究 | 第146-149页 |
6.2.2 Al_2O_3 基底上BaM点阵的制备及性能研究 | 第149-152页 |
6.3 本章小结 | 第152-154页 |
第七章 全文总结与展望 | 第154-157页 |
7.1 本论文主要结论 | 第154-156页 |
7.2 本论文主要创新点 | 第156页 |
7.3 后续工作展望 | 第156-157页 |
致谢 | 第157-158页 |
参考文献 | 第158-169页 |
攻读博士学位期间取得的成果 | 第169-170页 |