基于CMOS工艺的太赫兹成像读出电路阵列的研究
| 摘要 | 第1-6页 |
| Abstract | 第6-9页 |
| 第1章 绪论 | 第9-17页 |
| ·研究背景与意义 | 第9-13页 |
| ·太赫兹技术简介 | 第10-11页 |
| ·CMOS 技术优势 | 第11-12页 |
| ·读出电路在成像系统中的位置和作用 | 第12-13页 |
| ·太赫兹成像系统主要性能指标 | 第13-14页 |
| ·响应率 | 第13页 |
| ·等效噪声功率 | 第13-14页 |
| ·动态范围 | 第14页 |
| ·功耗 | 第14页 |
| ·电子学太赫兹成像系统发展现状与趋势 | 第14-16页 |
| ·相干检波成像 | 第14-15页 |
| ·直接检波成像 | 第15-16页 |
| ·论文主要内容和安排 | 第16-17页 |
| 第2章 读出电路基础 | 第17-32页 |
| ·FET 太赫兹检波原理 | 第17-24页 |
| ·静态分析 | 第17-18页 |
| ·非静态分析 | 第18-21页 |
| ·响应率与等效噪声功率 | 第21-22页 |
| ·读出电路要求 | 第22-24页 |
| ·CMOS 像素结构选择 | 第24-25页 |
| ·读出电路噪声分析 | 第25-27页 |
| ·噪声来源 | 第25-27页 |
| ·等效输入噪声源 | 第27页 |
| ·MOS 管建模 | 第27-31页 |
| ·MOS 管小信号模型 | 第28-29页 |
| ·MOS 管噪声建模 | 第29-31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第3章 读出电路单元设计 | 第32-51页 |
| ·读出电路单元设计要求 | 第32-34页 |
| ·前置读出放大器的设计 | 第34-41页 |
| ·前置读出放大器结构分析 | 第35-38页 |
| ·前置读出放大器噪声分析 | 第38-41页 |
| ·采样保持电路的设计 | 第41-44页 |
| ·相关双采样理论基础 | 第42-43页 |
| ·基于开关电容的采样保持电路 | 第43-44页 |
| ·输出缓冲级的设计 | 第44-50页 |
| ·本章小结 | 第50-51页 |
| 第4章 扫描寻址电路设计 | 第51-56页 |
| ·行列选择移位寄存器设计 | 第51-52页 |
| ·读出电路阵列总体时序 | 第52-55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第5章 版图设计及后仿真 | 第56-62页 |
| ·CMOS 集成电路版图设计 | 第56-58页 |
| ·匹配性设计 | 第56-57页 |
| ·寄生优化设计 | 第57页 |
| ·可靠性设计 | 第57-58页 |
| ·读出电路单元版图 | 第58-59页 |
| ·数字控制电路版图设计 | 第59-60页 |
| ·整体版图布局与后仿真 | 第60-61页 |
| ·本章小结 | 第61-62页 |
| 全文总结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-67页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文目录 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68页 |
