| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-17页 |
| ·课题背景与研究意义 | 第8-10页 |
| ·微控制器的电磁兼容性 | 第10-15页 |
| ·电磁兼容性 | 第10-11页 |
| ·片内电磁干扰源 | 第11-13页 |
| ·抗电磁干扰技术 | 第13-15页 |
| ·论文的内容安排和主要创新点 | 第15-16页 |
| ·本章小结 | 第16-17页 |
| 第二章 ColdFire 微控制器芯片关键电路设计 | 第17-44页 |
| ·ColdFire 微控制器芯片总体架构 | 第17-20页 |
| ·RSD A/D 转换器 | 第20-34页 |
| ·RSD ADC 与SAR ADC 比较 | 第21-23页 |
| ·RSD 算法与验证 | 第23-28页 |
| ·工作原理 | 第28-33页 |
| ·测试结果 | 第33-34页 |
| ·线性稳压器 | 第34-39页 |
| ·工作原理 | 第35-36页 |
| ·测试结果 | 第36-39页 |
| ·ESD 保护网络结构 | 第39-43页 |
| ·传统的ESD 保护网络 | 第40-42页 |
| ·分布式、Boosted ESD 保护网络 | 第42-43页 |
| ·本章小结 | 第43-44页 |
| 第三章 微控制器芯片ESD/EFT 保护设计研究 | 第44-84页 |
| ·ESD 设计理论及测试 | 第44-51页 |
| ·ESD 设计理论 | 第44-47页 |
| ·芯片级ESD 测试 | 第47-51页 |
| ·EFT 设计理论及测试 | 第51-55页 |
| ·EFT 设计理论 | 第51-52页 |
| ·芯片级EFT 测试 | 第52-55页 |
| ·I/O ESD 保护器件特性分析 | 第55-75页 |
| ·输出级寄生二极管 | 第56-59页 |
| ·输出级寄生BJT | 第59-67页 |
| ·输出级NMOS | 第67-72页 |
| ·NMOS clamp | 第72-75页 |
| ·ESD/EFT 触发电路设计 | 第75-83页 |
| ·ESD 触发电路 | 第75-79页 |
| ·EFT 触发电路 | 第79-83页 |
| ·本章小结 | 第83-84页 |
| 第四章 微控制器芯片ESD/EFT 失效机制 | 第84-94页 |
| ·瞬态闩锁效应 | 第84-89页 |
| ·闩锁效应形成机理 | 第84-86页 |
| ·瞬态闩锁效应产品分析 | 第86-89页 |
| ·VDD-VSS 之间短路 | 第89-93页 |
| ·VDD-VSS 短路产品分析 | 第90-91页 |
| ·VDD-VSS 短路电路分析 | 第91-93页 |
| ·本章小结 | 第93-94页 |
| 第五章 微控制器芯片ESD/EFT 保护设计优化技术 | 第94-106页 |
| ·抗瞬态闩锁效应措施 | 第94-95页 |
| ·SoC 级抗闩锁效应措施 | 第94-95页 |
| ·A/D 转换器内抗闩锁效应措施 | 第95页 |
| ·ESD/EFT 保护电路优化设计 | 第95-98页 |
| ·ESD/EFT 触发电路 | 第95-96页 |
| ·参考电压及低压探测电路 | 第96-98页 |
| ·版图优化技术 | 第98-100页 |
| ·PADRING SPICE 验证 | 第100-102页 |
| ·优化设计的测试结果 | 第102-105页 |
| ·本章小结 | 第105-106页 |
| 第六章 总结与展望 | 第106-108页 |
| ·全文总结 | 第106-107页 |
| ·未来工作展望 | 第107-108页 |
| 参考文献 | 第108-119页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第119-120页 |
| 致谢 | 第120页 |