| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-8页 |
| 致谢 | 第8-14页 |
| 第一章 绪论 | 第14-21页 |
| ·SiC 材料概述 | 第14-16页 |
| ·SiC 结构 | 第14-15页 |
| ·SiC 的物理和化学性能 | 第15-16页 |
| ·SiC 材料的应用及展望 | 第16-17页 |
| ·SiC 薄膜的制备方法 | 第17-19页 |
| ·真空蒸镀 | 第17页 |
| ·离子束沉积 | 第17页 |
| ·化学气相沉积 | 第17-18页 |
| ·溅射镀膜 | 第18-19页 |
| ·本课题研究的背景及意义 | 第19-20页 |
| ·本文主要的研究内容及创新点 | 第20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第二章 SiC 薄膜制备技术及其表征 | 第21-32页 |
| ·磁控溅射制备薄膜 | 第21-24页 |
| ·磁控溅射原理 | 第21页 |
| ·影响溅射的主要参数 | 第21-22页 |
| ·磁控溅射设备 | 第22-23页 |
| ·薄膜的制备过程 | 第23-24页 |
| ·电子束蒸发制备薄膜 | 第24-26页 |
| ·电子束蒸发原理以及特点 | 第24-25页 |
| ·电子束蒸发设备 | 第25-26页 |
| ·薄膜的制备 | 第26页 |
| ·样品的退火处理 | 第26页 |
| ·薄膜样品的表征技术 | 第26-31页 |
| ·X 射线衍射仪（XRD） | 第26-27页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第27页 |
| ·傅里叶变换红外光谱仪（FTIR） | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜（SEM） | 第28页 |
| ·荧光分光光度计（PL） | 第28页 |
| ·薄膜硬度测试仪 | 第28-29页 |
| ·X 射线光电子能谱（XPS） | 第29页 |
| ·多功能材料表面性能试验仪 | 第29-31页 |
| ·实验中所需仪器 | 第31页 |
| ·本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 工艺条件对磁控溅射制备 SiC 薄膜结构和性能的影响 | 第32-43页 |
| ·氩气中退火温度对 SiC 薄膜结构和性能的影响 | 第32-37页 |
| ·SiC 薄膜的 XRD 分析 | 第32-33页 |
| ·SiC 薄膜的 FTIR 分析 | 第33-34页 |
| ·SiC 薄膜的 SEM 分析 | 第34-35页 |
| ·SiC 薄膜的 XPS 分析 | 第35-37页 |
| ·空气条件下退火温度对 SiC 薄膜结构和性能的影响 | 第37-41页 |
| ·SiC 薄膜的 XRD 分析 | 第37-39页 |
| ·SiC 薄膜的 FTIR 分析 | 第39页 |
| ·SiC 薄膜的 XPS 分析 | 第39-41页 |
| ·SiC 薄膜的 SEM 分析 | 第41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 AlN/SiC 薄膜的制备及其性能的研究 | 第43-49页 |
| ·AlN 薄膜简介及制备 | 第43-45页 |
| ·AlN 概述 | 第43页 |
| ·AlN 薄膜的制备 | 第43-45页 |
| ·AlN/SiC 双层薄膜的制备及分析 | 第45-48页 |
| ·单层膜与双层膜的发光性能分析 | 第45-46页 |
| ·单层膜与双层膜的 AFM 分析 | 第46-47页 |
| ·单层膜和双层膜的膜基结合力分析 | 第47-48页 |
| ·本章小结 | 第48-49页 |
| 第五章 不锈钢上 SiC 薄膜和中间过渡层的制备及性能研究 | 第49-54页 |
| ·不锈钢上 SiC 薄膜的制备及其分析 | 第49-51页 |
| ·SiC 薄膜的 XRD 分析 | 第49-50页 |
| ·SiC 薄膜的结合力分析 | 第50-51页 |
| ·中间过渡层的原理及制备 | 第51-53页 |
| ·薄膜与基体结合分析 | 第51页 |
| ·中间过渡层选择原理 | 第51页 |
| ·中间过渡层的制备 | 第51-53页 |
| ·本章小结 | 第53-54页 |
| 第六章 不锈钢基 SiC 单层膜与多层膜结构与性能的比较 | 第54-60页 |
| ·SiC 单层膜与多层膜 XRD 对比 | 第54-55页 |
| ·SiC 单层膜与多层膜硬度的对比 | 第55-56页 |
| ·SiC 单层膜与多层膜膜基结合力的对比 | 第56-57页 |
| ·SiC 单层膜与多层膜表面形貌对比 | 第57-58页 |
| ·本章小结 | 第58-60页 |
| 第七章 总结与展望 | 第60-62页 |
| 参考文献 | 第62-67页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第67-68页 |
