| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-32页 |
| ·研究背景和国内外现状 | 第15-27页 |
| ·深亚微米工艺下单粒子翻转效应和单粒子瞬时脉冲效应挑战及其研究现状 | 第17-21页 |
| ·余数系统和冗余余数系统 | 第21-24页 |
| ·深亚微米工艺下片上总线数据传输方法设计的挑战及其研究现状 | 第24-27页 |
| ·课题来源和课题的意义 | 第27页 |
| ·本文的主要内容与贡献 | 第27-30页 |
| ·论文组织结构 | 第30-32页 |
| 第二章 单粒子引起的软错误和RRNS 理论基础 | 第32-45页 |
| ·单粒子引入的软错误 | 第32-38页 |
| ·单粒子翻转效应和单粒子瞬时脉冲效应 | 第32-37页 |
| ·单粒子多比特翻转 | 第37-38页 |
| ·RRNS 差错控制编码基础知识 | 第38-44页 |
| ·RNS 和 RRNS 的定义 | 第38-39页 |
| ·RRNS 的差错控制编码理论基础[25] | 第39-44页 |
| ·本章总结 | 第44-45页 |
| 第三章 基于RRNS 的抗单粒子翻转设计加固技术 | 第45-64页 |
| ·引言 | 第45-46页 |
| ·抗单粒子单比特翻转的RRNS 设计加固技术 | 第46-62页 |
| ·软错误容忍计算系统 | 第46-49页 |
| ·RRNS 的评估体系 | 第49-54页 |
| ·基于RRNS 的组合保护策略及其评估体系 | 第54-58页 |
| ·设计实例分析 | 第58-62页 |
| ·本章总结 | 第62-64页 |
| 第四章 组合RRNS＋MI 抗单粒子多比特翻转设计加固技术 | 第64-74页 |
| ·引言 | 第64-65页 |
| ·基于RRNS 的加固方法的SER 分析 | 第65-69页 |
| ·RRNS＋MI 加固策略 | 第69-71页 |
| ·设计实例分析 | 第71-73页 |
| ·本章总结 | 第73-74页 |
| 第五章 RRNS 冗余纠错算法 | 第74-94页 |
| ·RRNS 基的构造、纠错算法及其评估方法 | 第74-78页 |
| ·RRNS 基的构造 | 第74-75页 |
| ·余数基的评估方法 | 第75-77页 |
| ·RRNS 纠错算法 | 第77-78页 |
| ·RRNS 基扩展 | 第78-79页 |
| ·本文提出的两种纠错算法 | 第79-93页 |
| ·基于最优纠错基选择的纠错算法 | 第80-88页 |
| ·分组纠错算法 | 第88-93页 |
| ·本章总结 | 第93-94页 |
| 第六章 基于自适应均衡技术的片上总线的数据保护方法 | 第94-110页 |
| ·引言 | 第94-95页 |
| ·噪声特性和传输模型 | 第95-100页 |
| ·VLSI 片上总线数据传输中的主要噪声源 | 第95-97页 |
| ·VLSI 片上总线数据传输的传输模型 | 第97-100页 |
| ·自适应均衡和自适应均衡与间距规则组合方案 | 第100-105页 |
| ·提高片上总线数据传输速率和通信可靠性的自适应均衡技术 | 第101-102页 |
| ·仿真结果 | 第102-104页 |
| ·组合自适应均衡和间距规则技术 | 第104-105页 |
| ·与CAC 的对比 | 第105-108页 |
| ·本章总结 | 第108-110页 |
| 第七章 总结 | 第110-112页 |
| ·本文总结及其贡献 | 第110-111页 |
| ·下一步工作建议及其研究方向 | 第111-112页 |
| 致谢 | 第112-114页 |
| 附录 | 第114-118页 |
| 参考文献 | 第118-126页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第126-128页 |
| 攻博期间参加的主要科研项目 | 第128-129页 |
