系统级封装中的电热分析
| 摘要 | 第1-5页 |
| Abstract | 第5-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-22页 |
| ·研究背景 | 第10-17页 |
| ·集成电路的发展 | 第10-13页 |
| ·互连结构的发展 | 第13-16页 |
| ·电热协同分析的重要性 | 第16-17页 |
| ·国内外研究现状 | 第17-19页 |
| ·本文主要工作 | 第19-22页 |
| 第二章 高级CMOS 工艺下晶体管的温度特性研究 | 第22-34页 |
| ·温度相关的MOSFET 建模 | 第23-26页 |
| ·温度敏感的参数 | 第23页 |
| ·温度敏感的漏极电流模型 | 第23-26页 |
| ·线性区的温度不敏感工作点 | 第26-30页 |
| ·理论推导 | 第26-28页 |
| ·实验验证 | 第28-30页 |
| ·饱和区的温度不敏感工作点 | 第30-34页 |
| ·理论推导 | 第30-31页 |
| ·实验验证 | 第31-34页 |
| 第三章 纳米工艺下晶体管的漏电流研究 | 第34-46页 |
| ·晶体管漏电流机制 | 第35-41页 |
| ·漏电流及其组成 | 第35-36页 |
| ·各漏电流机制简介 | 第36-40页 |
| ·BSIM4 漏电流简介 | 第40-41页 |
| ·漏电流拟合的最小二乘法 | 第41-43页 |
| ·模型讨论 | 第43-46页 |
| 第四章 典型封装结构的热路建模 | 第46-58页 |
| ·热路理论 | 第47-51页 |
| ·热传导方程的热阻等效 | 第47-49页 |
| ·电热类比 | 第49-50页 |
| ·边界条件的等效 | 第50-51页 |
| ·封装热路等效 | 第51-54页 |
| ·实际物理模型 | 第51-53页 |
| ·等效热路模型 | 第53-54页 |
| ·快速结温估计 | 第54页 |
| ·结果及讨论 | 第54-58页 |
| 第五章 全局互连线的电热耦合分析 | 第58-70页 |
| ·全局互连线的物理模型 | 第59页 |
| ·热建模 | 第59-63页 |
| ·数学描述 | 第59-60页 |
| ·化简并求解 | 第60-62页 |
| ·物理参数 | 第62-63页 |
| ·电分析 | 第63-65页 |
| ·电热耦合迭代 | 第65-66页 |
| ·结果分析 | 第66-70页 |
| 第六章 总结与展望 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-80页 |
| 致谢 | 第80-82页 |
| 攻读学位期间发表和撰写的学术论文 | 第82-84页 |
