薄漂移区横向高压器件耐压模型及新结构
| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-28页 |
| ·功率MOSFET发展 | 第13-15页 |
| ·高压器件设计技术 | 第15-22页 |
| ·常用终端技术 | 第16-19页 |
| ·RESURF技术 | 第19-21页 |
| ·Super Junction | 第21-22页 |
| ·硅基耐压模型研究与进展 | 第22-26页 |
| ·硅基结构的耐压模型 | 第22-25页 |
| ·待解决的问题 | 第25-26页 |
| ·本文的主要工作 | 第26-28页 |
| 第二章 薄漂移区D-RESURF器件二维电场模型 | 第28-55页 |
| ·引言 | 第28-30页 |
| ·D-RESURF器件结构与模型 | 第30-40页 |
| ·D-RESURF结构和一维电场模型 | 第30-32页 |
| ·D-RESURF器件二维电场模型 | 第32-34页 |
| ·结果与讨论 | 第34-40页 |
| ·不完全耗尽型S-RESURF器件耐压模型 | 第40-47页 |
| ·S-RESURF器件一维耐压模型 | 第40-42页 |
| ·S-RESURF器件二维耐压模型 | 第42-43页 |
| ·结果与讨论 | 第43-47页 |
| ·高压D-RESURF器件实验研制 | 第47-53页 |
| ·高压器件工艺设计与优化 | 第47-49页 |
| ·实验结果与分析 | 第49-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第三章 薄漂移区阶梯掺杂高压器件耐压模型 | 第55-74页 |
| ·引言 | 第55-57页 |
| ·薄漂移区阶梯掺杂器件结构与模型 | 第57-67页 |
| ·薄漂移区阶梯掺杂器件结构 | 第57-58页 |
| ·薄漂移区阶梯掺杂器件耐压模型 | 第58-59页 |
| ·结果与讨论 | 第59-67页 |
| ·横向变掺杂器件工艺设计 | 第67-70页 |
| ·表面阶梯N~-层高压器件 | 第70-73页 |
| ·表面阶梯N~-层器件结构 | 第70-71页 |
| ·表面阶梯N~-层器件结果分析 | 第71-73页 |
| ·本章小结 | 第73-74页 |
| 第四章 薄型双漂移区横向高压器件研究 | 第74-86页 |
| ·引言 | 第74-76页 |
| ·薄型双漂移区LDMOS结构 | 第76-77页 |
| ·薄型双漂移区LDMOS结果分析 | 第77-85页 |
| ·埋层对击穿电压和导通电流的影响 | 第77-80页 |
| ·双漂移区器件结构优化与分析 | 第80-85页 |
| ·本章小结 | 第85-86页 |
| 第五章 薄漂移区SOI器件新结构与耐压模型 | 第86-110页 |
| ·引言 | 第86-89页 |
| ·埋层低掺杂漏SOI器件 | 第89-99页 |
| ·BLD SOI结构 | 第89-90页 |
| ·BLD SOI器件一维分析 | 第90-91页 |
| ·BLD SOI器件结果分析 | 第91-99页 |
| ·双面阶梯埋氧层部分SOI新结构 | 第99-105页 |
| ·DSB PSOI结构 | 第100页 |
| ·DSB PSOI器件结果分析 | 第100-105页 |
| ·SOI高压器件实验研制 | 第105-109页 |
| ·SOI高压器件优化 | 第105-107页 |
| ·SOI高压器件实验研制 | 第107-109页 |
| ·本章小结 | 第109-110页 |
| 第六章 总结 | 第110-114页 |
| ·总结 | 第110-112页 |
| ·进一步研究工作 | 第112-114页 |
| 致谢 | 第114-115页 |
| 参考文献 | 第115-126页 |
| 读博期间取得的研究成果 | 第126-127页 |
