| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-13页 |
| 第一章 绪论 | 第13-27页 |
| ·SiC材料基本物理特性 | 第13-15页 |
| ·SiC功率器件发展现状 | 第15-21页 |
| ·SiC功率整流器 | 第16-17页 |
| ·SiC单极型功率晶体管 | 第17-20页 |
| ·SiC双极型载流子功率器件 | 第20-21页 |
| ·SiC MESFETs微波功率器件发展现状和存在问题 | 第21-24页 |
| ·SiC MESFETs微波功率器件研究现状 | 第21-22页 |
| ·SiC MESFETs微波功率器件性能不稳定性问题 | 第22-24页 |
| ·自热效应 | 第22-23页 |
| ·陷阱效应 | 第23-24页 |
| ·本论文的主要工作 | 第24-27页 |
| 第二章 SiC MESFETs器件新结构 | 第27-52页 |
| ·引言 | 第27页 |
| ·4H-SiC数值分析物理模型及参数 | 第27-33页 |
| ·数值仿真基本方程 | 第27-28页 |
| ·有效状态密度与禁带宽度模型 | 第28-29页 |
| ·迁移率模型 | 第29-30页 |
| ·杂质不完全电离模型与碰撞电离模型 | 第30-32页 |
| ·Shockley-Read-Hall模型与俄歇复合模型 | 第32页 |
| ·晶格热模型及热导率和热容模型 | 第32-33页 |
| ·SiC MESFETs源场板器件结构与特性分析 | 第33-47页 |
| ·场板技术在微波功率器件中的应用 | 第35-36页 |
| ·具有源场板结构SiC MESFETs器件特性分析 | 第36-47页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第37-38页 |
| ·器件性能分析与讨论 | 第38-47页 |
| ·多沟道阶梯栅SiC MESFETs器件结构与特性分析 | 第47-50页 |
| ·器件结构与工作原理 | 第47-48页 |
| ·器件性能分析与讨论 | 第48-50页 |
| ·本章小结 | 第50-52页 |
| 第三章 SiC MESFETs器件性能稳定性 | 第52-81页 |
| ·引言 | 第52页 |
| ·大栅宽SiC MESFETs器件三维电热解析模型及自热效应 | 第52-63页 |
| ·自热效应对SiC MESFETs器件性能的影响 | 第55-56页 |
| ·SiC MESFETs器件三维电热解析模型 | 第56-63页 |
| ·电热解析模型研究 | 第57-61页 |
| ·电热解析模型的讨论与应用 | 第61-63页 |
| ·SiC MESFETs表面态对器件性能的影响 | 第63-75页 |
| ·SiC MESFETs器件的陷阱效应 | 第63-67页 |
| ·表面态影响的二维数值分析与讨论 | 第67-75页 |
| ·表面态对直流特性的影响 | 第68-70页 |
| ·表面态对瞬态特性的影响 | 第70-75页 |
| ·SiC MESFETs器件栅源间距尺寸效应对器件性能的影响 | 第75-79页 |
| ·器件结构几何尺寸的影响 | 第75-76页 |
| ·栅源间距尺寸效应的分析与讨论 | 第76-79页 |
| ·本章小结 | 第79-81页 |
| 第四章 SiC MESFETs多凹栅器件结构实验研究 | 第81-98页 |
| ·引言 | 第81-82页 |
| ·多凹栅SiC MESFETs器件结构与特性分析 | 第82-86页 |
| ·大栅宽SiC MESFETs器件工艺流程 | 第86-90页 |
| ·欧姆接触工艺技术 | 第87-88页 |
| ·凹槽刻蚀工艺技术 | 第88-89页 |
| ·空气桥工艺技术 | 第89-90页 |
| ·实验结果与分析 | 第90-97页 |
| ·器件直流特性 | 第90-93页 |
| ·器件微波功率特性 | 第93-97页 |
| ·本章小结 | 第97-98页 |
| 第五章 结论和展望 | 第98-101页 |
| ·结论 | 第98-100页 |
| ·下一步工作 | 第100-101页 |
| 致谢 | 第101-102页 |
| 参考文献 | 第102-112页 |
| 攻博期间取得的研究成果 | 第112-113页 |
