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钨铜电子封装材料的工程化研究

摘要第1-4页
ABSTRACT第4-6页
目录第6-8页
第一章 文献综述第8-25页
 1.1 电子封装材料的发展的历史背景第8页
 1.2 电子封装材料的定义和性能要求第8-10页
 1.3 传统封装材料和新型封装材料的对比第10-11页
 1.4 电子封装复合材料的分类和研究第11-13页
 1.5 金属基电子封装复合材料第13-15页
  1.5.1 颗粒增强型的金属基电子封装材料第13-14页
  1.5.2 纤维增强型金属基电子封装材料第14页
  1.5.3 金属基平面复合型电子封装材料第14-15页
 1.6 金属导热性第15-22页
  1.6.1 金属导热概述第15-16页
  1.6.2 金属电子的导热第16-18页
  1.6.3 金属的晶格导热第18-20页
  1.6.4 其它导热机制第20-21页
  1.6.5 影响金属导热的因素第21-22页
 1.7 W/Cu复合材料的制备方法第22-23页
 1.8 课题研究背景与意义第23-25页
第二章 实验及分析过程第25-33页
 2.1 钨铜电子封装材料制备第25-26页
 2.2 研究内容第26-30页
  2.2.1 钨铜复合材料熔渗工艺的优化第26-27页
  2.2.2 钨铜复合材料的气密性及其对导热的影响第27页
  2.2.3 铜相纯度对钨铜合金热导的影响第27-28页
  2.2.4 钨粉粒径对钨铜合金热导的影响第28-29页
  2.2.5 退火温度确定及对钨铜复合材料的影响第29页
  2.2.6 钨铜合金表面白斑的产生原因及对策第29-30页
 2.3 主要检测仪器和方法第30-33页
  2.3.1 密度第30页
  2.3.2 热扩散系数第30-31页
  2.3.3 气密性测试第31页
  2.3.4 残余应力测试第31-32页
  2.3.5 费氏粒度分布第32页
  2.3.6 扫描电镜二次电子象和背散射电子象第32-33页
第三章 实验结果及讨论第33-56页
 3.1 钨铜复合材料熔渗工艺的优化第33-37页
  3.1.1 熔渗温度的优化第33-35页
  3.1.2 熔渗时间的选择第35-36页
  3.1.3 熔渗机理探讨第36-37页
  3.1.4 小结第37页
 3.2 钨铜合金的气密性第37-41页
  3.2.1 气密性测试第37-39页
  3.2.2 热导率与气密性关系第39-40页
  3.2.3 诱导铜对钨坯的增强作用第40-41页
  3.2.4 小结第41页
 3.3 铜相纯度对钨铜导热性能的影响第41-43页
  3.3.1 导热系数与铜相纯度的关系第41-42页
  3.3.2 小结第42-43页
 3.4 钨粉粒径对钨铜导热性能的影响第43-46页
  3.4.1 钨粉粒径对成形的影响第43页
  3.4.2 钨粉粒径对导热性能的影响第43-46页
  3.4.3 小结第46页
 3.5 钨铜复合材料的退火温度第46-51页
  3.5.1 退火温度的确定第46-48页
  3.5.2 残余应力对导热性能的影响第48-50页
  3.5.3 加工及热处理对紫铜导热性能的影响第50-51页
  3.5.4 小结第51页
 3.6 钨铜合金表面白斑研究第51-56页
  3.6.1 空洞特点及粉末颗粒第51-53页
  3.6.2 粉末湿磨研究第53-54页
  3.6.3 粉末干磨研究第54-55页
  3.6.4 小结第55-56页
第四章 结论第56-57页
参考文献第57-60页
致谢第60-61页
硕士阶段发表论文第61页

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