应变BiCMOS器件及应力分布研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·国内外研究现状和发展动态 | 第8-10页 |
| ·工艺发展 | 第8页 |
| ·SiGe HBT 的发展 | 第8-9页 |
| ·SiGe MOS 的研究状况 | 第9-10页 |
| ·本文的内容及章节安排 | 第10-11页 |
| 第二章 应力引入及SiGe/Si 的材料特性 | 第11-21页 |
| ·应力引入方法和分类 | 第11-12页 |
| ·双轴应变 | 第11-12页 |
| ·单轴应变 | 第12页 |
| ·SiGe/Si 材料物理特性 | 第12-17页 |
| ·SiGe 晶格结构的分析 | 第13-14页 |
| ·SiGe 合金禁带宽度 | 第14-15页 |
| ·SiGe/Si 异质结导带结构分析 | 第15页 |
| ·SiGe/Si 异质结价带结构分析 | 第15-16页 |
| ·双轴应变硅MOSFET 迁移率的增强机理 | 第16-17页 |
| ·双轴应变材料温度效应 | 第17-18页 |
| ·应变硅层的临界厚度 | 第18-19页 |
| ·应变锗硅层临界厚度 | 第19-20页 |
| ·本章小结 | 第20-21页 |
| 第三章 双轴应变材料应力分布研究 | 第21-33页 |
| ·应力计算模型 | 第21-25页 |
| ·双轴应变材料的试验方法研究 | 第25-30页 |
| ·X 射线双晶衍射（DCXRD） | 第26-28页 |
| ·拉曼光谱分析（RAMAN） | 第28-29页 |
| ·二次离子质谱仪（SIMS） | 第29-30页 |
| ·原子力显微镜（AFM） | 第30页 |
| ·透射电镜（TEM） | 第30页 |
| ·本章小结 | 第30-33页 |
| 第四章 SiGe HBT 设计及仿真分析 | 第33-43页 |
| ·SiGe HBT 基本原理 | 第33-35页 |
| ·SiGe HBT 的直流特性 | 第33-35页 |
| ·SiGe HBT 的频率特性 | 第35页 |
| ·SiGe HBT 结构设计 | 第35-40页 |
| ·发射区纵向结构设计 | 第36页 |
| ·基区纵向结构设计 | 第36-38页 |
| ·集电区纵向结构设计 | 第38-39页 |
| ·横向结构参数的选取 | 第39-40页 |
| ·SiGe HBT 器件仿真结果及分析 | 第40-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第五章 应变BiCMOS 的设计及仿真分析 | 第43-55页 |
| ·传统BiCMOS 工艺 | 第43-44页 |
| ·以双极工艺为基础的BiCMOS 工艺 | 第43页 |
| ·以MOS 工艺为基础的BiCMOS 工艺 | 第43-44页 |
| ·本文所提出的BiCMOS 模型 | 第44-46页 |
| ·SiGe CMOS 仿真与分析 | 第46-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第六章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-61页 |
