应变硅器件电学特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 目录 | 第5-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-11页 |
| ·引言 | 第7-8页 |
| ·国内外应变硅技术发展 | 第8-9页 |
| ·应变硅技术应用前景 | 第9-10页 |
| ·本论文主要工作 | 第10-11页 |
| 第二章 应变硅技术 | 第11-27页 |
| ·应变硅形成及特点 | 第11-12页 |
| ·迁移率 | 第12-14页 |
| ·电子迁移率 | 第12-13页 |
| ·空穴迁移率 | 第13-14页 |
| ·应变硅物理模型 | 第14-17页 |
| ·应变硅载流子有效质量 | 第15-16页 |
| ·应变硅有效状态密度和本征载流子浓度 | 第16-17页 |
| ·应变硅锗物理模型 | 第17-19页 |
| ·应变硅锗载流子有效质量 | 第17-18页 |
| ·应变硅锗有效状态密度和本征载流子浓度 | 第18-19页 |
| ·应变硅器件的类型 | 第19-20页 |
| ·应变硅器件应力引入技术 | 第20-25页 |
| ·全局应变应力引入技术 | 第20-23页 |
| ·局部应变应力引入技术 | 第23-25页 |
| ·小结 | 第25-27页 |
| 第三章 应变硅器件阈值电压研究 | 第27-43页 |
| ·阈值电压 | 第27-30页 |
| ·MOS基本结构 | 第27-28页 |
| ·阈值电压模型 | 第28-29页 |
| ·非理想因素 | 第29-30页 |
| ·基本结构和能带图 | 第30-32页 |
| ·表面沟道应变硅NMOSFET阈值电压 | 第32-35页 |
| ·表面沟道应变硅锗PMOSFET阈值电压 | 第35-37页 |
| ·埋沟应变硅锗PMOSFET阈值电压 | 第37-41页 |
| ·本章小结 | 第41-43页 |
| 第四章 应变硅器件电学特性研究 | 第43-55页 |
| ·表面沟道应变硅NMOSFET电学特性 | 第43-45页 |
| ·直流特性和跨导 | 第43-44页 |
| ·频率特性 | 第44页 |
| ·表面沟道应变Si NMOSFET模拟分析 | 第44-45页 |
| ·表面沟道应变硅PMOSFET电学特性 | 第45-47页 |
| ·直流特性和跨导 | 第45-46页 |
| ·频率特性 | 第46页 |
| ·表面沟道应变Si PMOSFET模拟分析 | 第46-47页 |
| ·埋沟应变硅锗PMOSFET电学特性 | 第47-49页 |
| ·直流特性和跨导 | 第47-48页 |
| ·频率特性 | 第48页 |
| ·埋沟应变硅锗PMOSFET模拟分析 | 第48-49页 |
| ·器件结构参数优化设计 | 第49-53页 |
| ·栅氧化层厚度 | 第49-50页 |
| ·应变层厚度 | 第50-51页 |
| ·SIGe中Ge摩尔含量 | 第51-52页 |
| ·衬底掺杂浓度 | 第52-53页 |
| ·本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 致谢 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-62页 |
