| 致谢 | 第5-6页 |
| 摘要 | 第6-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第1章 绪论 | 第12-26页 |
| 1.1 课题研究目的与意义 | 第12-15页 |
| 1.1.1 研究目的 | 第13-14页 |
| 1.1.2 研究意义 | 第14-15页 |
| 1.2 课题研究现状 | 第15-21页 |
| 1.2.1 涡旋光单光束直写光刻技术 | 第15页 |
| 1.2.2 涡旋光双光束直写光刻技术 | 第15-21页 |
| 1.3 课题研究内容 | 第21-23页 |
| 1.4 本文章节安排 | 第23-26页 |
| 第2章 涡旋光束直写光刻基本原理 | 第26-50页 |
| 2.1 涡旋光单光束直写曝光理论 | 第26-33页 |
| 2.1.1 涡旋光束的产生 | 第27-29页 |
| 2.1.2 聚焦涡旋光场 | 第29-30页 |
| 2.1.3 直写线条截面曝光量分布 | 第30-32页 |
| 2.1.4 螺旋相位板与涡旋光束的分类 | 第32-33页 |
| 2.2 涡旋光双光束吸收度调制直写光刻 | 第33-35页 |
| 2.3 光致变色材料与光致变色薄膜 | 第35-41页 |
| 2.3.1 无机光致变色材料 | 第37-38页 |
| 2.3.2 有机光致变色材料 | 第38-41页 |
| 2.3.3 光致变色薄膜及其制备 | 第41页 |
| 2.4 吸收度调制基本原理 | 第41-47页 |
| 2.4.1 光化学基本定律 | 第41-43页 |
| 2.4.2 吸收度调制理论模型 | 第43-46页 |
| 2.4.3 吸收度调制直写曝光理论 | 第46-47页 |
| 2.5 本章小结 | 第47-50页 |
| 第3章 涡旋光单光束直写光刻研究 | 第50-74页 |
| 3.1 涡旋光单光束直写光刻系统 | 第50-54页 |
| 3.2 涡旋光束剪切干涉对焦系统 | 第54-63页 |
| 3.2.1 涡旋光束剪切干涉对焦原理 | 第54-56页 |
| 3.2.2 涡旋光束剪切干涉对焦的模拟与实验结果 | 第56-58页 |
| 3.2.3 涡旋光束剪切干涉对焦的特点与影响因素 | 第58-63页 |
| 3.3 涡旋光单光束直写模拟与实验 | 第63-71页 |
| 3.3.1 整数阶涡旋光束直写 | 第63-65页 |
| 3.3.2 分数阶涡旋光束直写 | 第65-68页 |
| 3.3.3 多级整数阶涡旋光束直写 | 第68-69页 |
| 3.3.4 多级分数阶涡旋光束直写 | 第69-71页 |
| 3.4 本章小结 | 第71-74页 |
| 第4章 涡旋光双光束吸收度调制直写光刻研究 | 第74-108页 |
| 4.1 涡旋光双光束吸收度调制直写光刻系统 | 第74-77页 |
| 4.2 光致变色材料的选择与复合膜层光刻基片的制备 | 第77-84页 |
| 4.2.1 光致变色材料的选择 | 第77-81页 |
| 4.2.2 最佳复合膜层的选择 | 第81-82页 |
| 4.2.3 复合膜层光刻基片的制备工艺 | 第82-84页 |
| 4.3 吸收度调制数值模拟 | 第84-95页 |
| 4.3.1 光致变色薄膜参数测定 | 第84-86页 |
| 4.3.2 吸收度调制直写曝光量模拟 | 第86-95页 |
| 4.4 吸收度调制直写光刻实验 | 第95-104页 |
| 4.4.1 吸收度调制直写光刻软件 | 第96-101页 |
| 4.4.2 吸收度调制验证实验 | 第101-103页 |
| 4.4.3 吸收度调制直写线条 | 第103-104页 |
| 4.5 本章小结 | 第104-108页 |
| 第5章 总结与展望 | 第108-112页 |
| 5.1 本文总结 | 第108-109页 |
| 5.2 工作展望 | 第109-112页 |
| 参考文献 | 第112-124页 |
| 作者简介 | 第124-126页 |
| 作者在学期间的主要科研成果 | 第126页 |