| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第12-13页 |
| 缩略语对照表 | 第13-16页 |
| 第一章 绪论 | 第16-28页 |
| 1.1 研究现状 | 第16-18页 |
| 1.2 异质集成 | 第18-20页 |
| 1.3 研究异质集成技术的必要性 | 第20-22页 |
| 1.4 异质集成面临的问题 | 第22-23页 |
| 1.5 InAs/AlSb HEMT的发展 | 第23-27页 |
| 1.6 本文主要研究内容与安排 | 第27-28页 |
| 第二章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的性质 | 第28-34页 |
| 2.1 InAs材料的基本性质 | 第28-29页 |
| 2.2 InSb材料的基本性质 | 第29页 |
| 2.3 GaSb材料的基本性质 | 第29-30页 |
| 2.4 AlSb材料的基本性质 | 第30页 |
| 2.5 InAs/AlSb量子阱 | 第30-34页 |
| 第三章 材料生长与检测 | 第34-44页 |
| 3.1 材料制备 | 第34-40页 |
| 3.1.1 分子束外延设备的基本原理 | 第35-36页 |
| 3.1.2 分子束外延设备简介 | 第36-40页 |
| 3.2 材料分析与表征 | 第40-44页 |
| 3.2.1 原子力显微镜 | 第40-42页 |
| 3.2.2 霍尔测试 | 第42-44页 |
| 第四章 GaAs基InAs/AlSb高电子迁移率晶体管材料的生长 | 第44-52页 |
| 4.1 GaAs衬底上AlGaSb缓冲层的生长 | 第44-47页 |
| 4.1.1 AlGaSb生长温度的优化 | 第45-46页 |
| 4.1.2 AlGaSb Ⅴ/Ⅲ比的优化 | 第46-47页 |
| 4.2 GaAs衬底上AlSb/InAs/AlSb量子阱的生长 | 第47-49页 |
| 4.3 GaAs基InAs/AlSb HEMT材料的制备 | 第49-52页 |
| 第五章 Si基InAs/AlSb二维电子气结构 | 第52-62页 |
| 5.1 Si衬底预处理 | 第53-54页 |
| 5.2 Si衬底上直接外延InAs材料 | 第54-56页 |
| 5.3 AlGaSb缓冲层结构 | 第56-58页 |
| 5.4 GaAsSb/AlGaSb缓冲层结构 | 第58-62页 |
| 第六章 总结与展望 | 第62-64页 |
| 6.1 总结 | 第62-63页 |
| 6.2 展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 作者简介 | 第72-73页 |
