| 摘要 | 第5-7页 |
| ABSTRACT | 第7-8页 |
| 符号对照表 | 第11-12页 |
| 缩略语对照表 | 第12-15页 |
| 第一章 绪论 | 第15-21页 |
| 1.1 研究背景 | 第15-16页 |
| 1.2 SiC材料少子寿命的研究进展及存在问题 | 第16-19页 |
| 1.3 本文的主要工作 | 第19-21页 |
| 第二章 少子寿命测试原理及方法 | 第21-33页 |
| 2.1 少子寿命的测试方法 | 第21-26页 |
| 2.1.1 少数载流子的寿命 | 第21-23页 |
| 2.1.2 少数载流子寿命的测试方法 | 第23-26页 |
| 2.2 μ-PCD基本测试原理 | 第26-28页 |
| 2.3 半导体材料中缺陷的检测方法 | 第28-32页 |
| 2.3.1 PL(光致发光)简介 | 第28页 |
| 2.3.2 ERS(电子自旋共振)简介 | 第28-30页 |
| 2.3.3 其他表征方法 | 第30-32页 |
| 2.4 本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 热氧化与高温退火对P型4H-SiC少子寿命的影响 | 第33-45页 |
| 3.1 SiC材料热氧化的实验方案 | 第33-37页 |
| 3.1.1 热氧化方案介绍 | 第33-34页 |
| 3.1.2 热氧化、退火实验结果及分析 | 第34-37页 |
| 3.2 SiC材料PL测试 | 第37-39页 |
| 3.3 SiC材料ESR测试分析 | 第39-42页 |
| 3.4 本章小结 | 第42-45页 |
| 第四章 开路电压衰减法对少子寿命的表征 | 第45-55页 |
| 4.1 开路电压衰减法测试 | 第45-48页 |
| 4.2 OCVD法仿真验证 | 第48-53页 |
| 4.2.1 4H-SiCPiN二极管的数值仿真 | 第49-50页 |
| 4.2.2 SiCPiN二极管仿真模型的选取 | 第50-52页 |
| 4.2.3 OCVD法仿真结果 | 第52-53页 |
| 4.3 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 总结与展望 | 第55-59页 |
| 5.1 工作总结 | 第55-56页 |
| 5.2 不足与展望 | 第56-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 作者简介 | 第65-66页 |