| 摘要 | 第4-5页 |
| abstract | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第8-12页 |
| 1.1 MCM-D多层布线简介 | 第8-9页 |
| 1.2 MCM-D多层布线研究意义 | 第9页 |
| 1.3 MCM-D多层布线国内外发展现状 | 第9-10页 |
| 1.4 MCM-D多层布线研究目标 | 第10页 |
| 1.5 MCM-D多层布线研究内容 | 第10-11页 |
| 1.6 本章小结 | 第11-12页 |
| 第2章 电路版图的设计与改进 | 第12-32页 |
| 2.1 改进生产工艺 | 第12-18页 |
| 2.1.1 改进基片材料 | 第12-13页 |
| 2.1.2 改进介质材料 | 第13-16页 |
| 2.1.3 改进通孔制作方法 | 第16-18页 |
| 2.2 改进器件选择 | 第18-23页 |
| 2.2.1 电路效率的分析 | 第18-19页 |
| 2.2.2 提高效率的工艺要求 | 第19-20页 |
| 2.2.3 降低热阻提高可靠性 | 第20-23页 |
| 2.3 改进电路设计 | 第23-26页 |
| 2.3.1 过热保护电路设计原理 | 第23-25页 |
| 2.3.2 过流保护电路设计原理 | 第25-26页 |
| 2.4 改进版图设计 | 第26-30页 |
| 2.5 本章小结 | 第30-32页 |
| 第3章 多层布线样品制备 | 第32-64页 |
| 3.1 选取合适材料 | 第32-36页 |
| 3.1.1 材料的选取 | 第33-34页 |
| 3.1.2 器件的选取 | 第34-35页 |
| 3.1.3 元器件焊(粘)接区尺寸的选取 | 第35-36页 |
| 3.2 具体工艺流程 | 第36-62页 |
| 3.2.1 溅射导带 | 第36-42页 |
| 3.2.1.1 溅射导带工艺概述 | 第36-37页 |
| 3.2.1.2 复合导带成膜工艺技术的选用 | 第37-38页 |
| 3.2.1.3 基片加热温度的研究 | 第38-41页 |
| 3.2.1.4 扫描速度的研究 | 第41-42页 |
| 3.2.1.5 Ti/W-Cu-Ti/W-Au复合导带性能 | 第42页 |
| 3.2.2 光刻调值 | 第42-46页 |
| 3.2.2.1 对多层布线中埋置电阻(Cr-Si)变化率的研究 | 第42-43页 |
| 3.2.2.2 对多层布线中埋置电阻(Cr-Si)±1%精度的研究 | 第43-44页 |
| 3.2.2.3 聚酰亚胺介质层的应用 | 第44-45页 |
| 3.2.2.4 介质通孔制作技术 | 第45-46页 |
| 3.2.3 烧结 | 第46-62页 |
| 3.2.3.1 烧结材料的选取 | 第46-50页 |
| 3.2.3.2 管壳的选取 | 第50页 |
| 3.2.3.3 烧结完的产品所经受的工艺筛选试验 | 第50-52页 |
| 3.2.3.4 烧结前的准备工作 | 第52-55页 |
| 3.2.3.5 进行烧结工艺 | 第55-62页 |
| 3.3 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 最终电测试 | 第64-70页 |
| 4.1 电测试原理和条件 | 第64-65页 |
| 4.2 电测试方法 | 第65-67页 |
| 4.3 电测试结果 | 第67-68页 |
| 4.4 本章小结 | 第68-70页 |
| 结论 | 第70页 |
| 致谢 | 第70-72页 |
| 参考文献 | 第72-74页 |
