| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-17页 |
| 1.1 智能功率集成电路介绍 | 第11-12页 |
| 1.2 ESD现象及研究目的与意义 | 第12-14页 |
| 1.3 ESD仿真技术研究 | 第14-15页 |
| 1.4 本文主要工作 | 第15-17页 |
| 第二章 研究工具的选择 | 第17-32页 |
| 2.1 器件仿真软件Medici的架构分析 | 第17-23页 |
| 2.1.1 器件仿真软件Medici特性 | 第17-19页 |
| 2.1.2 器件仿真软件Medici的结构分析 | 第19-20页 |
| 2.1.3 器件仿真软件Medici的语法构成 | 第20-23页 |
| 2.2 版图绘制工具Virtuoso的使用方法 | 第23-31页 |
| 2.2.1 Cadence简介 | 第23-24页 |
| 2.2.2 Virtuoso设计步骤 | 第24-30页 |
| 2.2.3 版图验证工具 | 第30-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 ESD模型及保护 | 第32-48页 |
| 3.1 ESD模型 | 第33-36页 |
| 3.1.1 人体放电模型 | 第33-34页 |
| 3.1.2 机器放电模型 | 第34-35页 |
| 3.1.3 器件充电模型 | 第35-36页 |
| 3.1.4 电场感应模型 | 第36页 |
| 3.2 无回转特性的ESD保护器件 | 第36-41页 |
| 3.2.1 P-N结二极管 | 第36-38页 |
| 3.2.2 齐纳二极管 | 第38-39页 |
| 3.2.3 多晶硅二极管 | 第39-40页 |
| 3.2.4 串联二极管 | 第40-41页 |
| 3.3 有回转特性的ESD保护器件 | 第41-46页 |
| 3.3.1 MOSFET | 第41-45页 |
| 3.3.2 SCR | 第45-46页 |
| 3.4 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 不同参数对 5V CMOS工艺下的GGMOS器件的影响 | 第48-68页 |
| 4.1ESD保护器件GGNMOS的工作原理 | 第48-50页 |
| 4.1.1 器件结构 | 第48-49页 |
| 4.1.2 GGNMOS的工作原理 | 第49-50页 |
| 4.2 ESD器件的结构分析 | 第50-67页 |
| 4.2.1 不同栅长对器件的影响 | 第59-64页 |
| 4.2.2 不同衬底接触孔与栅的距离对器件的影响 | 第64-65页 |
| 4.2.3 不同漏端接触孔与栅的距离对器件的影响 | 第65-66页 |
| 4.2.4 不同源端接触孔与栅的距离对器件的影响 | 第66-67页 |
| 4.3 本章小结 | 第67-68页 |
| 第五章 SPIC版图对于ESD能力的影响 | 第68-79页 |
| 5.1 版图对ESD能力影响分析 | 第68-70页 |
| 5.1.1 单叉指GGNMOS | 第68-69页 |
| 5.1.2 沟道长度 | 第69页 |
| 5.1.3 沟道宽度 | 第69-70页 |
| 5.1.4 硅化物阻挡层宽度与漏端接触孔到栅的间距 | 第70页 |
| 5.2 器件的版图优化 | 第70-77页 |
| 5.2.1 有源区优化 | 第71-72页 |
| 5.2.2 端部接触优化 | 第72-73页 |
| 5.2.3 接触孔布局的优化 | 第73页 |
| 5.2.4 对latch-up现象优化 | 第73-75页 |
| 5.2.5 源和漏的分割 | 第75-76页 |
| 5.2.6 金属走线的优化 | 第76-77页 |
| 5.3 本章小结 | 第77-79页 |
| 第六章 总结 | 第79-80页 |
| 致谢 | 第80-81页 |
| 参考文献 | 第81-84页 |