| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-18页 |
| 1.1 GaN HEMT研究背景与意义 | 第10-12页 |
| 1.2 GaN HEMT国内外研究现状分析 | 第12-17页 |
| 1.3 本文的主要内容及安排 | 第17-18页 |
| 第二章 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理及热设计 | 第18-37页 |
| 2.1 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第18-22页 |
| 2.1.1 极化效应 | 第18-19页 |
| 2.1.2 二维电子气产生机理 | 第19-21页 |
| 2.1.3 AlGaN/GaN HEMT器件工作原理 | 第21-22页 |
| 2.2 AlGaN/GaN HEMT热特性研究 | 第22-31页 |
| 2.2.1 AlGaN/GaN HEMT器件结构及仿真模型 | 第22-26页 |
| 2.2.2 AlGaN/GaN HEMT器件热学参数仿真结果 | 第26-31页 |
| 2.3 均匀栅指间距AlGaN/GaN HEMT三维热仿真 | 第31-36页 |
| 2.3.1 有限元热分析基本理论 | 第31-33页 |
| 2.3.2 热仿真模型及参数 | 第33-34页 |
| 2.3.3 热学参数仿真结果 | 第34-36页 |
| 2.4 本章小结 | 第36-37页 |
| 第三章 变温条件下GaN基HEMT器件性能退化研究 | 第37-48页 |
| 3.1 AlGaN/GaN HEMT热特性研究 | 第37-42页 |
| 3.1.1 测试样品的选择及测试方案 | 第37-38页 |
| 3.1.2 AlGaN/GaN HEMT器件变温测试结果分析 | 第38-42页 |
| 3.2 InAlN/GaN HEMT热特性研究 | 第42-46页 |
| 3.2.1 测试样品的选择及测试方案 | 第42-43页 |
| 3.2.2 InAlN/GaN HEMT器件变温测试结果分析 | 第43-46页 |
| 3.3 本章小结 | 第46-48页 |
| 第四章 高耐压GaN SJ-VHFET新结构设计与仿真研究 | 第48-56页 |
| 4.1 器件结构及工作原理 | 第48-50页 |
| 4.2 仿真结果与分析 | 第50-55页 |
| 4.2.1 孔径宽度Lap优化 | 第50-51页 |
| 4.2.2 n/p缓冲层浓度优化 | 第51-54页 |
| 4.2.3 GaN SJ-VHFET结构优势 | 第54-55页 |
| 4.3 本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 总结与展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-59页 |
| 参考文献 | 第59-63页 |
| 攻读硕士学位期间取得的成果 | 第63-64页 |
