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基于硅通孔的高速三维集成电路关键设计技术研究

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-8页
符号对照表第12-14页
缩略语对照表第14-18页
第一章 绪论第18-30页
    1.1 研究背景和意义第18-19页
    1.2 基于TSV的3DIC的优势第19-20页
    1.3 基于TSV的3DIC的研究进展第20-23页
    1.4 基于TSV的3DIC的问题与挑战第23-27页
        1.4.1 TSV的寄生参数及等效模型第23页
        1.4.2 基于TSV的3DIC热管理第23-24页
        1.4.3 TSV的热机械特性第24-25页
        1.4.4 TSV的电特性及耦合噪声第25-26页
        1.4.5 基于TSV的集成元器件第26页
        1.4.6 基于TSV的3DIC设计第26-27页
    1.5 本文的研究内容及安排第27-30页
第二章 考虑各向异性的TSV热机械特性研究第30-40页
    2.1 基于有限元分析的TSV热机械特性研究方法第30-34页
    2.2 SWCNTTSV热机械特性研究第34-38页
        2.2.1 热应力第35-37页
        2.2.2 KOZ第37-38页
    2.3 小结第38-40页
第三章 环型TSV结构优化第40-52页
    3.1 环型TSV结构第40-41页
    3.2 环型TSV的温度特性研究第41-45页
        3.2.1 基于环型TSV的3DIC温度解析模型第41-43页
        3.2.2 温度解析模型验证与分析第43-45页
    3.3 环型TSV的热机械特性及KOZ研究第45-47页
        3.3.1 环型TSV的KOZ解析模型第45-46页
        3.3.2 模型验证与分析第46-47页
    3.4 环型TSV金属比例优化第47-51页
        3.4.1 FOM模型第47-49页
        3.4.2 环型TSV半径对最佳金属比例的影响第49-50页
        3.4.3 环型TSV密度对最佳金属比例的影响第50页
        3.4.4 环型TSV材料对最佳金属比例的影响第50-51页
    3.5 小结第51-52页
第四章 TSV引入的衬底噪声及屏蔽方法第52-64页
    4.1 TSV噪声形成机制及屏蔽结构第52-55页
    4.2 TSV引入衬底噪声—时域分析第55-60页
        4.2.1 时域分析第55-56页
        4.2.2 建立时间的影响第56-57页
        4.2.3 TSV到OP间距的影响第57-58页
        4.2.4 噪声电压对晶体管性能的影响第58-59页
        4.2.5 不同噪声隔离技术的定量比较第59-60页
    4.3 TSV引入衬底噪声—频域分析第60-62页
        4.3.1 频域分析与讨论第60-61页
        4.3.2 与测试结果的比较第61-62页
    4.4 小结第62-64页
第五章 基于TSV的三维螺旋电感解析模型第64-76页
    5.1 基于TSV的三维螺旋电感器结构第64页
    5.2 采用Q3D提取电感值的方法第64-66页
    5.3 基于TSV的三维螺旋电感器的电感解析模型第66-72页
        5.3.1 建模方法概述第66-67页
        5.3.2 单根TSV的自感第67-68页
        5.3.3 不同位置TSV之间的互感第68-70页
        5.3.4 不同位置RDL之间的自感和互感第70-72页
        5.3.5 N圈螺旋电感的总电感模型第72页
    5.4 模型验证与讨论第72-75页
        5.4.1 模型验证与分析第72-74页
        5.4.2 频率特性讨论第74-75页
    5.5 小结第75-76页
第六章 基于TSV的滤波器设计第76-88页
    6.1 基于TSV的滤波器结构第76-77页
    6.2 制作工艺第77-78页
    6.3 螺旋电感和同轴TSV电容分析与建模第78-83页
        6.3.1 螺旋电感第78-81页
        6.3.2 TSV同轴电容第81-83页
    6.4 基于TSV的低通滤波器性能研究第83-86页
        6.4.1 等效电路模型第83-85页
        6.4.2 结果与讨论第85-86页
    6.5 小结第86-88页
第七章 总结与展望第88-92页
    7.1 全文总结第88-89页
    7.2 工作展望第89-92页
参考文献第92-106页
致谢第106-108页
作者简介第108-110页

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