基于硅通孔的高速三维集成电路关键设计技术研究
摘要 | 第5-7页 |
ABSTRACT | 第7-8页 |
符号对照表 | 第12-14页 |
缩略语对照表 | 第14-18页 |
第一章 绪论 | 第18-30页 |
1.1 研究背景和意义 | 第18-19页 |
1.2 基于TSV的3DIC的优势 | 第19-20页 |
1.3 基于TSV的3DIC的研究进展 | 第20-23页 |
1.4 基于TSV的3DIC的问题与挑战 | 第23-27页 |
1.4.1 TSV的寄生参数及等效模型 | 第23页 |
1.4.2 基于TSV的3DIC热管理 | 第23-24页 |
1.4.3 TSV的热机械特性 | 第24-25页 |
1.4.4 TSV的电特性及耦合噪声 | 第25-26页 |
1.4.5 基于TSV的集成元器件 | 第26页 |
1.4.6 基于TSV的3DIC设计 | 第26-27页 |
1.5 本文的研究内容及安排 | 第27-30页 |
第二章 考虑各向异性的TSV热机械特性研究 | 第30-40页 |
2.1 基于有限元分析的TSV热机械特性研究方法 | 第30-34页 |
2.2 SWCNTTSV热机械特性研究 | 第34-38页 |
2.2.1 热应力 | 第35-37页 |
2.2.2 KOZ | 第37-38页 |
2.3 小结 | 第38-40页 |
第三章 环型TSV结构优化 | 第40-52页 |
3.1 环型TSV结构 | 第40-41页 |
3.2 环型TSV的温度特性研究 | 第41-45页 |
3.2.1 基于环型TSV的3DIC温度解析模型 | 第41-43页 |
3.2.2 温度解析模型验证与分析 | 第43-45页 |
3.3 环型TSV的热机械特性及KOZ研究 | 第45-47页 |
3.3.1 环型TSV的KOZ解析模型 | 第45-46页 |
3.3.2 模型验证与分析 | 第46-47页 |
3.4 环型TSV金属比例优化 | 第47-51页 |
3.4.1 FOM模型 | 第47-49页 |
3.4.2 环型TSV半径对最佳金属比例的影响 | 第49-50页 |
3.4.3 环型TSV密度对最佳金属比例的影响 | 第50页 |
3.4.4 环型TSV材料对最佳金属比例的影响 | 第50-51页 |
3.5 小结 | 第51-52页 |
第四章 TSV引入的衬底噪声及屏蔽方法 | 第52-64页 |
4.1 TSV噪声形成机制及屏蔽结构 | 第52-55页 |
4.2 TSV引入衬底噪声—时域分析 | 第55-60页 |
4.2.1 时域分析 | 第55-56页 |
4.2.2 建立时间的影响 | 第56-57页 |
4.2.3 TSV到OP间距的影响 | 第57-58页 |
4.2.4 噪声电压对晶体管性能的影响 | 第58-59页 |
4.2.5 不同噪声隔离技术的定量比较 | 第59-60页 |
4.3 TSV引入衬底噪声—频域分析 | 第60-62页 |
4.3.1 频域分析与讨论 | 第60-61页 |
4.3.2 与测试结果的比较 | 第61-62页 |
4.4 小结 | 第62-64页 |
第五章 基于TSV的三维螺旋电感解析模型 | 第64-76页 |
5.1 基于TSV的三维螺旋电感器结构 | 第64页 |
5.2 采用Q3D提取电感值的方法 | 第64-66页 |
5.3 基于TSV的三维螺旋电感器的电感解析模型 | 第66-72页 |
5.3.1 建模方法概述 | 第66-67页 |
5.3.2 单根TSV的自感 | 第67-68页 |
5.3.3 不同位置TSV之间的互感 | 第68-70页 |
5.3.4 不同位置RDL之间的自感和互感 | 第70-72页 |
5.3.5 N圈螺旋电感的总电感模型 | 第72页 |
5.4 模型验证与讨论 | 第72-75页 |
5.4.1 模型验证与分析 | 第72-74页 |
5.4.2 频率特性讨论 | 第74-75页 |
5.5 小结 | 第75-76页 |
第六章 基于TSV的滤波器设计 | 第76-88页 |
6.1 基于TSV的滤波器结构 | 第76-77页 |
6.2 制作工艺 | 第77-78页 |
6.3 螺旋电感和同轴TSV电容分析与建模 | 第78-83页 |
6.3.1 螺旋电感 | 第78-81页 |
6.3.2 TSV同轴电容 | 第81-83页 |
6.4 基于TSV的低通滤波器性能研究 | 第83-86页 |
6.4.1 等效电路模型 | 第83-85页 |
6.4.2 结果与讨论 | 第85-86页 |
6.5 小结 | 第86-88页 |
第七章 总结与展望 | 第88-92页 |
7.1 全文总结 | 第88-89页 |
7.2 工作展望 | 第89-92页 |
参考文献 | 第92-106页 |
致谢 | 第106-108页 |
作者简介 | 第108-110页 |