| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-9页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| ·MOS器件可靠性对集成电路发展的影响 | 第9-10页 |
| ·HCI可靠性模型的国内外研究现状 | 第10-12页 |
| ·本课题的意义和目标 | 第12-13页 |
| 第二章 HCI效应的物理机制以及对器件可靠性的研究 | 第13-24页 |
| ·MOS器件热载流子的产生机理及器件退化 | 第13-18页 |
| ·采用电荷泵技术对HCI产生机理的研究 | 第18-21页 |
| ·器件可靠性及器件寿命模型分析 | 第21-24页 |
| 第三章 SPICE仿真器和BSIM3v3模型的简介 | 第24-34页 |
| ·SPICE仿真器简介 | 第24-25页 |
| ·BSIM模型的发展 | 第25-31页 |
| ·可靠性模型的发展与挑战 | 第31-34页 |
| 第四章 基于SPICE BSIM3的HCI可靠性模型研究 | 第34-45页 |
| ·HCI效应的BSIM3模型模拟 | 第34-36页 |
| ·HCI效应对器件性能的影响 | 第36-37页 |
| ·提出HCI可靠性模型 | 第37-45页 |
| 第五章 HCI可靠性模型的实现与验证 | 第45-63页 |
| ·研究数据的采集和挑选 | 第45-48页 |
| ·model参数提取和模型建立过程 | 第48-58页 |
| ·HCI可靠性模型的验证 | 第58-63页 |
| 结论和展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-67页 |
| 硕士期间发表学术论文 | 第67-68页 |
| 致谢 | 第68-69页 |
| 附录 | 第69-73页 |
| 附录A 部分BSIM3v3源代码摘录 | 第69-71页 |
| 附录B ICCAP2008中电路网表 | 第71-73页 |
