| 摘要 | 第1-7页 |
| ABSTRACT | 第7-10页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| ·自旋电子学概述 | 第10页 |
| ·自旋电子学的研究历史 | 第10-13页 |
| ·自旋电子学的应用及其前景 | 第13-15页 |
| 第二章 低维半导体电子结构的计算方法 | 第15-28页 |
| ·一维半导体的计算方法 | 第15-24页 |
| ·一维半导体计算方法概述 | 第15页 |
| ·自洽求解方法 | 第15-18页 |
| ·一维半导体计算中的单带模型与多带模型 | 第18-24页 |
| ·零维半导体的计算方法 | 第24-28页 |
| 第三章 界面电荷对GaN共振隧穿二极管特性的影响 | 第28-37页 |
| ·引言 | 第28页 |
| ·器件结构与计算原理 | 第28-31页 |
| ·器件结构 | 第28-29页 |
| ·非平衡格林函数方法 | 第29-31页 |
| ·结果与讨论 | 第31-36页 |
| ·界面电荷对GaN共振隧穿二极管共振电压的影响 | 第31-35页 |
| ·界面电荷对GaN共振隧穿二极管峰谷比的影响 | 第35-36页 |
| ·结论 | 第36-37页 |
| 第四章 InGaAs/GaAs金字塔型量子点的g因子研究 | 第37-55页 |
| ·引言 | 第37-40页 |
| ·器件结构和计算方法 | 第40-42页 |
| ·结果和讨论 | 第42-54页 |
| ·量子点的宽度、高度、组分对量子点能级的影响 | 第42-45页 |
| ·低磁场下,宽度、高度、组分等参数对量子点g因子的影响 | 第45-50页 |
| ·高磁场下量子点尺寸对其电子能级特性的影响 | 第50-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第五章 结论与展望 | 第55-57页 |
| 附录 发表论文和科研情况 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |