| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 第一章 绪论 | 第7-15页 |
| ·SiC 材料特点 | 第7-9页 |
| ·肖特基二极管 | 第9-11页 |
| ·国内外研究现状 | 第11-13页 |
| ·本文主要工作 | 第13-15页 |
| 第二章 常规结构SiC SBD | 第15-23页 |
| ·SBD 特性 | 第15-16页 |
| ·正向特性及R_(on,sp) | 第15-16页 |
| ·反向特性及V_B | 第16页 |
| ·穿通型与非穿通型的R_(on,sp)、V_B | 第16-18页 |
| ·非穿通型 | 第17页 |
| ·穿通型 | 第17-18页 |
| ·V_B、R_(on,sp) 的优化 | 第18-22页 |
| ·V_B 与浓度关系 | 第18-21页 |
| ·R_(on,sp) 与浓度、厚度关系 | 第21-22页 |
| ·本章小结 | 第22-23页 |
| 第三章 SJ SBD | 第23-35页 |
| ·SJ 特点 | 第23-30页 |
| ·SJ 击穿机理 | 第24-27页 |
| ·影响SJ 击穿特性关键因素 | 第27-29页 |
| ·电荷非平衡对V_B 的影响 | 第29-30页 |
| ·SJ SBD 基本特性 | 第30-33页 |
| ·正向特性及R_(on) | 第31-32页 |
| ·反向特性及V_B | 第32页 |
| ·SJ 对于SBD 的R_(on,sp)-V_B 关系的优化 | 第32-33页 |
| ·本章小结 | 第33-35页 |
| 第四章 非对称超结SiC SBD | 第35-49页 |
| ·SJ 器件模型 | 第35-36页 |
| ·非对称超结SiC SBD 的_(Ron,sp) | 第36-40页 |
| ·只增加N、P 柱宽度W_n | 第36-37页 |
| ·只增加N、P 柱浓度N_D | 第37-38页 |
| ·非对称SJ 结构 | 第38-40页 |
| ·非对称SJ 结构V_B | 第40-44页 |
| ·只增加N、P 柱宽度W_n | 第40-41页 |
| ·只增加N、P 柱浓度N_D | 第41-42页 |
| ·非对称SJ 结构 | 第42-44页 |
| ·电荷非平衡 | 第44-47页 |
| ·电荷非平衡对ASJ 结构V_B 的影响 | 第44-45页 |
| ·N 柱电荷过盛对V_B 影响 | 第45-46页 |
| ·P 柱电荷过盛对V_B 影响 | 第46-47页 |
| ·本章小结 | 第47-49页 |
| 第五章 Semi-SJ SiC SBD 特性分析 | 第49-61页 |
| ·Semi-SJ 特点 | 第49-52页 |
| ·Semi-SJ 结构特点 | 第49-50页 |
| ·Semi-SJ 特点 | 第50-52页 |
| ·Semi-SJ 的R_(on) 分析 | 第52-54页 |
| ·比导通电阻R_(on) 模型 | 第52-53页 |
| ·R_(on) 模型的适用性 | 第53-54页 |
| ·Semi-ASJ | 第54-57页 |
| ·Semi-ASJ 对R_(on) 改善 | 第55-56页 |
| ·ASJ 在Semi-ASJ 中的作用 | 第56-57页 |
| ·SJ 制造工艺 | 第57-59页 |
| ·本章小结 | 第59-61页 |
| 第六章 总结与展望 | 第61-63页 |
| 致谢 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-70页 |
| 硕士期间研究成果 | 第70-71页 |